[发明专利]在电路板中形成通孔的方法有效
| 申请号: | 201310003294.9 | 申请日: | 2013-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN103188887B | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | 权纯喆;李相旻 | 申请(专利权)人: | 海成帝爱斯株式会社 |
| 主分类号: | H05K3/42 | 分类号: | H05K3/42 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 刘灿强,戴嵩玮 |
| 地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路板 形成 方法 | ||
本申请要求于2012年1月3日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0000603号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
与示例性实施例一致的方法涉及在电路板中形成用于导电通路的孔,更具体地说,涉及在电路板中形成通孔。
背景技术
随着电子工业快速发展,已经开发了在电子器件封装和电路板领域中的各种技术。具体地说,随着电子产品变得更薄且日益小型化,对在基底上形成精细的电路图案的需求、对增加输入/输出(I/O)端子的数量的需求以及提供具有两个或更多个不同功能的封装件的需求已经增加。
因此,电路板被形成为多层电路板,并且层上的导体通过通孔彼此电连接。通过对电路板穿孔,在通孔中填充导电膏并执行电镀/无电镀覆来形成通孔。
已经引入了现有技术中的用于形成通孔的方法,例如机械钻孔法和激光钻孔法。
发明内容
一个或多个示例性实施例提供了一种在电路板中形成通孔的方法,从而可获得与现有技术的方法的机械钻孔和激光钻孔相同的质量。在使用示例性实施例的方法中,可降低电路板的成本,并且可提高形成通孔的速度。
根据示例性实施例的一方面,提供了一种在电路板中形成通孔的方法,所述电路板包括绝缘层以及设置在绝缘层的顶表面和底表面中的每个表面上的金属层,所述方法包括下述步骤:选择性地去除每个金属层的位于将要形成通孔的位置处的部分,从而暴露绝缘层;去除暴露的绝缘层。如果需要,可通过执行去污工艺和/或镀覆工艺来处理通孔的内侧壁,并且在形成通孔之后,在每个金属层上形成预定的电路图案。
去除暴露的绝缘层的步骤可包括使暴露的绝缘层化学膨胀并去除膨胀的绝缘层。
当绝缘层包括玻璃结构材料时,去除暴露的绝缘层的步骤还可包括在去除膨胀的绝缘层之前或之后,蚀刻玻璃结构材料一次或多次。
选择性地去除每个金属层的部分的步骤可包括:在每个金属层的表面上涂覆光致抗蚀剂;使光致抗蚀剂曝光和显影,以基于通孔的图案暴露每个金属层;以及蚀刻每个暴露的金属层,以去除金属层,并且还可包括去除在蚀刻每个暴露的金属层之后剩余的光致抗蚀剂。
在使暴露的绝缘层化学膨胀的步骤中可使用从由碱溶液(例如高锰酸钠或氢氧化钠)、有机溶剂(丙酮)和其它酸溶液组成的组中选择的溶剂。通过执行使暴露的绝缘层化学膨胀的操作,可使组成绝缘层的一部分的树脂基质的分子间作用力充分地减小,从而可由于外部冲击而使分子间结合容易地分开。
在去除膨胀的绝缘层的步骤中可使用超声波或高压水射流。
在去除膨胀的绝缘层的步骤中可使用范围在28kHz和40kHz之间的超声波。
在去除膨胀的绝缘层的步骤中可使用压强不超过5kg/cm2的高压水射流。
暴露的绝缘层的化学膨胀可使绝缘层的分子间作用力在预定的范围内减小。
根据示例性实施例的一方面,提供了一种在电路板中形成通孔的方法,该方法包括下述步骤:设置绝缘层,使第一金属层设置在绝缘层的第一表面上,并使第二金属层设置在绝缘层的与第一表面相对的第二表面上;通过去除每个金属层的一部分来使绝缘层的第一表面和第二表面的每个表面的一部分暴露;通过将化学溶剂施加到绝缘层的暴露部分来减小绝缘层的分子间作用力;施加物理外力来去除绝缘层的暴露的部分,从而形成通孔;对通孔的内侧壁执行去污工艺。
绝缘层可包括玻璃结构材料,该方法还可包括蚀刻所述玻璃结构材料。
使绝缘层的第一表面和第二表面的每个表面的一部分暴露的步骤可包括:在第一金属层和第二金属层的每个的表面上涂覆光致抗蚀剂;使光致抗蚀剂曝光并显影,以基于通孔的图案暴露第一金属层和第二金属层的每个;蚀刻暴露的第一金属层和第二金属层的每个,以去除第一金属层和第二金属层的每个的一部分。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的详细描述,本公开的上述和/或其他方面将变得更加清楚,附图中:
图1A至图1D是根据示例性实施例的用于示出在电路板中形成通孔的方法中,通过选择性地去除其中形成有通孔的金属层来使绝缘层暴露的操作的电路板的示意性剖视图;
图2A和图2B是示出了通过去除暴露的绝缘层来形成通孔的操作的图1A至图1D中示出的电路板的示意性剖视图;
图3A和图3B是示出在图2中示出的电路板中形成的通孔的照片;
图4A至图4C是用于示出在如图2A和图2B所示的已经形成通孔之后制造电路板的操作的电路板的示意性剖视图。
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