[发明专利]用于头部成像的超导磁体系统有效

专利信息
申请号: 201310003130.6 申请日: 2013-01-06
公开(公告)号: CN103077797A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 王秋良;胡新宁;倪志鹏;李兰凯;严陆光;李毅;戴银明 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01F6/00 分类号: H01F6/00;H01F6/04;H01F6/06;G01R33/3815
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 头部 成像 超导 磁体 系统
【权利要求书】:

1.一种用于头部成像的超导磁体系统,其特征在于所述的超导磁体(26)包括主磁场超导线圈(1、2、3、4),补偿超导线圈(16、17、18、19、20、21、22),还包括制冷机(23)、高压氦容器(24)和自激发热管(25);制冷机(23)的二级冷头连接高压氦容器(24)上,利用制冷机(23)二级冷头的冷量来冷却高压氦容器(24)内的氦气形成液氦,通过自激发热管(25)将冷量直接传给超导磁体(26),自激发热管(25)均匀缠绕在超导磁体(26)的外表面;自激发热管(25)的两个端口连接到高压氦容器(24)上,产生闭环冷却回路;所述的超导磁体(26)采用自激发热管(25)来冷却。

2.按照权利要求1所述的超导磁体系统,其特征在于第一主磁场超导线圈(1)位于超导磁体(26)内层的一端,第三主磁场超导线圈(3)位于超导磁体(26)内层的另一端;第三主磁场超导线圈(3)的外层布置有第四主磁场超导线圈(4);在第四主磁场超导线圈(4)的外部,在轴向方向上向超导磁体(26)中心方向依次布置第四补偿超导线圈(19)和第三补偿超导线圈(18);在超导磁体(26)的内层,在第三主磁场超导线圈(3)的内层布置第五补偿超导线圈(20);在第一主磁场超导线圈(1)的外层,从超导磁体(26)中心到磁体端部依次布置第六补偿超导线圈(21)、第七补偿超导线圈(22)和第二主磁场超导线圈(2),在第二主磁场超导线圈(2)的外层从磁体中心到磁体端部依次布置第二补偿超导线圈(17)和第一补偿超导线圈(16)。

3.按照权利要求1所述的超导磁体系统,其特征在于位于所述的超导磁体(26)内层的第一主磁场超导线圈(1)和第三主磁场超导线圈(3)采用的Nb3Sn导线绕制,位于所述的超导磁体(26)外层的第二主磁场超导线圈(2)和第四主磁场超导线圈(4)采用NbTi导线,第三主磁场超导线圈(3)与第一主磁场超导线圈(1)的半径之比为1.3-1.35,实现超导磁体(26)的室温孔在轴向上具有不同孔径的室温孔结构。

4.按照权利要求1所述的超导磁体系统,其特征在于所述的自激发热管(25)的直径小于0.5-1mm;自激发热管(25)内封闭3-5个标准大气压的氦气。

5.按照权利要求1所述的超导磁体系统,其特征在于通过所述的超导磁体(26)内的热扰动使自激发热管(25)内有氦气和液氦同时存在,由于氦气的膨胀产生热感应流动,导致自激发热管(25)内的氦气和液氦相互作用,以激发液氦振动,提高自激发热管(25)传热效率。

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