[发明专利]感应耦合等离子体处理装置有效
申请号: | 201310002507.6 | 申请日: | 2010-01-14 |
公开(公告)号: | CN103094047A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 佐佐木和男 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/50 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感应 耦合 等离子体 处理 装置 | ||
本申请是2010年1月14日提出的申请号为201010003194.2的同名申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及对液晶显示装置(LCD)等平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板实施等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。
背景技术
在液晶显示装置(LCD)等的制造工序中,为了对玻璃基板施加规定的处理,使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。作为这样的等离子体处理装置,以往多使用电容耦合等离子体处理装置,但近来具有能够得到高密度的等离子体这样的大的优点的感应耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置受到关注。
感应耦合等离子体处理装置在收容被处理基板的处理室的电介质窗的外侧配置有高频天线,向处理室内供给处理气体并向该高频天线供给高频电力,由此在处理室内生成感应耦合等离子体,通过该感应耦合等离子体对被处理基板施加规定的等离子体处理。作为感应耦合等离子体处理装置的高频天线,多使用成为平面状的规定图案的平面天线。作为公知例,有专利文献1。
近来,被处理基板的大小逐步大型化。例如,举LCD用的矩形玻璃基板为例,短边×长边的长度从约1500mm×约1800mm的大小向约2200mm×约2400mm的大小改变,进而向约2800mm×约3000mm的大小改变,这种大型化显著。
在为感应耦合等离子体处理装置的情况下,在高频天线和处理室之间存在电介质窗。如果被处理基板大型化,则电介质窗也被大型化。对于电介质窗,如专利文献1中所记载的那样,一般使用石英玻璃或者陶瓷。
但是,石英玻璃、陶瓷较脆,不适合大型化。因此,例如如专利文献2记载的那样,通过将石英玻璃分割来应对电介质窗的大型化。
但是,被处理基板的大型化仍然显著。因此,即使利用专利文献2所记载的那样的分割电介质窗的方法,也变得难以应对大型化。
专利文献1:日本专利第3077009号公报
专利文献2:日本专利第3609985号公报
发明内容
本发明是鉴于这些问题而完成的,本发明的目的在于,提供能够应对被处理基板的大型化的感应耦合等离子体处理装置。
为了解决上述问题,本发明的一个实施方式的感应耦合等离子体处理装置包括:收容被处理基板,实施等离子体处理的处理室;在上述处理室内载置被处理基板的载置台;向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统;对上述处理室内进行排气的排气系统;在上述处理室内形成感应电场的高频天线;和向上述高频天线供给高频电力的第一高频电源,在上述高频天线与上述处理室之间,形成有与构成上述处理室的主体容器绝缘地形成的、为非磁性体的导电性的金属窗。
根据本发明,能够提供能够应对被处理基板的大型化的感应耦合等离子体处理装置。
附图说明
图1是概略地表示本发明的第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置。
图2是表示在第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置中使用的为非磁性体的导电性的金属窗的一个例子的俯视图。
图3是表示在第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置中使用的高频天线的一个例子的俯视图。
图4是更加概略地表示第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置的图。
图5是表示从第一实施方式的感应耦合等离子体处理装置得到的等离子体电子密度的图。
图6是表示推测得到的等离子体生成原理的图。
图7是表示四分割型金属窗的一个例子的俯视图。
图8是表示四分割型金属窗的另一个例子的俯视图。
图9是表示使高频天线为直线状的情况下的金属窗的一个例子的俯视图。
图10是表示本发明的第二实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的俯视图。
图11是表示金属窗的具体的一个例子的截面图。
图12是表示本发明的第二实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的另一个例子的俯视图。
图13是表示本发明的第三实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的截面图。
图14是概略地表示本发明的第四实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的金属窗的一个例子的截面图。
图15是表示本发明的第五实施方式的感应耦合等离子体处理装置所具备的电容耦合模式电路的一个电路例的电路图。
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