[发明专利]脉冲输出电路、移位寄存器、以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201310002175.1 申请日: 2007-10-17
公开(公告)号: CN103123810A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 三宅博之 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G11C19/28 分类号: G11C19/28;G09G3/20
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张金金;卢江
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 脉冲 输出 电路 移位寄存器 以及 显示装置
【权利要求书】:

1. 一种半导体装置,包括:

第一晶体管;

第二晶体管;

第三晶体管;

第四晶体管;

第五晶体管;

第六晶体管;

第七晶体管;

第八晶体管;以及

第九晶体管;

其中,所述第一晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第三晶体管的栅极;

所述第二晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第三晶体管的栅极,

所述第三晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第四晶体管的源极和漏极其中之一,

所述第四晶体管的栅极电连接至所述第二晶体管的栅极,

所述第五晶体管的栅极电连接至所述第一晶体管的栅极,

所述第五晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第二晶体管的栅极,

所述第六晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第二晶体管的栅极,

所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至所述第六晶体管的源极和漏极中的另一个,

所述第七晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第二晶体管的栅极,

所述第八晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第七晶体管的源极和漏极中的另一个,

所述第八晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至所述第九晶体管的源极和漏极其中之一,并且

所述第九晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至所述第二晶体管的栅极。

2. 如权利要求1所述的半导体装置,

其中,所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第一端子,

所述第八晶体管的栅极电连接至第二端子,

所述第九晶体管的栅极电连接至第三端子,

所述第一晶体管的栅极电连接至第四端子,

所述第六晶体管的栅极电连接至第五端子,

所述第七晶体管的栅极电连接至第六端子,

所述第三晶体管的源极和漏极的所述其中之一电连接至第七端子,

所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第一电源线,

所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第二电源线,

所述第四晶体管的源极和漏极中另一个电连接至第三电源线,

所述第五晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第四电源线,并且

所述第七晶体管的源极和漏极中的另一个电连接至第五电源线。

3. 如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

第一电容器,

其中,所述第一电容器的第一电极电连接至所述第三晶体管的栅极,并且

所述第一电容器的第二电极电连接至所述第三晶体管的源极和漏极的所述其中之一。

4. 如权利要求3所述的半导体装置,进一步包括:

第二电容器,

其中,所述第二电容器的第一电极电连接至所述第二晶体管的栅极,并且

所述第二电容器的第二电极电连接至第六电源线。

5. 如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

第十晶体管;

第十一晶体管;

第十二晶体管;以及

第十三晶体管,

其中,所述第十晶体管的栅极电连接至所述第三晶体管的栅极;

所述第十一晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第十晶体管的源极和漏极其中之一,

所述第十一晶体管的栅极电连接至所述第二晶体管的栅极,

所述第十二晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第十晶体管的源极和漏极的所述其中之一,

所述第十二晶体管的栅极电连接至所述第九晶体管的栅极,

所述第十三晶体管的源极和漏极其中之一电连接至所述第三晶体管的源极和漏极的所述其中之一,并且

所述第十三晶体管的栅极电连接至所述第九晶体管的栅极。

6. 如权利要求5所述的半导体装置,进一步包括:

第三电容器,

其中,所述第三电容器的第一电极电连接至所述第十晶体管的栅极,并且

所述第三电容器的第二电极电连接至所述第十晶体管的源极和漏极的所述其中之一。

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