[发明专利]在发光装置芯片的晶片上形成磷光体层的方法在审
| 申请号: | 201310002101.8 | 申请日: | 2013-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN103208579A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
| 发明(设计)人: | 林宅基 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;韩明星 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 芯片 晶片 形成 磷光体 方法 | ||
本申请要求于2012年1月12日在韩国知识产权局提交的第10-2012-0003858号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种通过使用晶片级模具在其上形成有多个发光装置芯片的晶片上形成磷光体层的方法。
背景技术
发光装置芯片(例如,发光二极管(LED))是经由通过化合物半导体的PN结实现的光源来发射各种颜色的光的半导体装置。LED具有各种优点,例如,寿命长、尺寸小、质轻以及由于光的方向性强而在低驱动电压下运行。LED具有很强的抗冲击性和抗振动性,且不需要预热时间和复杂的驱动。而且LED封装成各种类型,从而可以将它们应用在各种设备中。
当通过使用半导体制造工艺来制造LED时,为了获得高产率而将多个LED芯片形成在晶片上。
传统上,为了以晶片级在发光装置芯片上形成磷光体层,在晶片上形成厚的光致抗蚀剂图案后,在厚的光致抗蚀剂图案上丝网印刷磷光体层。在将磷光体层涂磨成具有期望厚度的晶片级后,然后去除厚的光致抗蚀剂图案。
在传统的方法中,具有相同厚度的磷光体层可以以晶片级形成在发光装置芯片上,这会降低发光装置的发光质量。期望的是,改变磷光体层的厚度以使每个发光装置芯片获得合适的发光特性。
发明内容
本公开的一个方面包括通过使用晶片级模具在发光装置芯片的晶片上制造磷光体层的方法,使得磷光体层具有晶片级的与每个发光装置芯片的高度对应的厚度。
由于根据每个发光装置芯片的特性决定磷光体层的高度,因此所制造的其上具有晶片级的磷光体层的发光装置芯片的颜色实现可以是均匀的,从而能够改善使用发光装置芯片的封装件的质量。
本公开的另一方面涉及一种形成发光装置芯片的磷光体层的方法。所述方法包括:在下模具和上模具之间夹紧具有多个发光装置芯片的晶片以在晶片和上模具之间形成空间;通过将磷光体液体注入到所述空间内在晶片上形成磷光体层;以及使晶片从上模具和下模具脱模。
夹紧晶片的步骤可以包括:利用上模具的顶板上的多个棒来覆盖发光装置芯片的电极的上表面。
所述方法还可以包括:在夹紧晶片之前在上模具上形成脱模层,其中,所述脱模层易于晶片的脱模。
所述方法还可以包括:测量从发光装置芯片的晶片的每个发光装置芯片发射的峰值波长;以及根据发光装置芯片的峰值波长来调节具有从上模具的顶板到发光装置芯片的相应的上表面的距离的上模具。
随着发光装置芯片的峰值波长变大,缩减从上模具的顶板到发光装置芯片的上表面的距离。
本公开的另一方面提供了一种通过使用晶片级模具形成发光装置芯片的晶片的磷光体层的方法。所述方法包括:测量从形成在晶片上的每个发光装置芯片发射的峰值波长;将晶片安装在下模具上;将上模具夹紧到下模具以在晶片和上模具之间形成空间;通过将磷光体液体注入到所述空间内在晶片上形成磷光体层;以及使晶片与下模具和上模具脱模。根据发光装置芯片的峰值波长来调节从发光装置芯片的上表面到上模具的顶板的距离。
本公开的另一方面包括一种用于在具有多个发光装置芯片的发光装置芯片的晶片上模制磷光体层的模具装置。多个发光装置芯片中的每一个具有基板、设置在基板上发射光的发光结构以及设置在发光结构上的电极。模具装置包括:下模具,具有其中设置有发光装置芯片的晶片的槽;以及上模具,具有在其外围沿向下模具的方向延伸的边以及从上模具的内顶板沿向下模具的方向延伸的多个棒。多个棒中的每个覆盖多个发光装置芯片中的每个发光装置芯片的电极。下模具或上模具具有通过其注入磷光体液体的磷光体注入孔。
由于以晶片级形成磷光体层,因此本公开提高了产率。在形成磷光体层后不需要其他的涂磨工艺,并且由于不适用厚的光致抗蚀剂,因此制造工艺简单。由于根据每个发光装置芯片的特性来决定磷光体层的高度,因此可以改善使用制造的发光装置芯片的发光装置封装件的质量。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述,这些和/或其他方面将变得清楚并且更加容易理解,其中:
图1是根据本公开实施例的示例性发光装置芯片的示意性剖视图;
图2A至图2F是用于示出根据本公开实施例的使用晶片级模具在发光装置芯片的晶片上制造磷光体层的方法的示图;以及
图3是示出发光装置芯片沿跨晶片的直径方向的峰值波长的测量结果的曲线图。
具体实施方式
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