[发明专利]可切换滤波器和设计结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成至少一个压电滤波器结构，所述至少一个压电滤波器结构包括在压电基底上形成的多个电极；以及

形成微机电结构（MEMS），所述MEMS包括在所述压电基底上方且在如下位置处形成的MEMS梁：在该位置中，所述MEMS梁在被致动时通过接触所述多个电极中的至少一个来短接所述压电滤波器结构。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个压电滤波器结构是表面声波（SAW）滤波器。

3.如权利要求2所述的方法，其中，形成所述SAW滤波器包括：

形成Vin叉指换能器（IDT），所述Vin IDT包括位于所述压电基底的表面上的交错的信号电极和地电极；以及

形成Vout IDT，所述Vout IDT包括位于所述压电基底的所述表面上的交错的信号电极和地电极。

4.如权利要求3所述的方法，其中，形成所述MEMS梁包括将所述MEMS梁定位为在被致动时短接所述Vin IDT或所述Vout IDT的所述交错的信号电极和地电极。

5.如权利要求3所述的方法，其中，形成所述MEMS梁包括将所述MEMS梁定位在所述Vin IDT和所述Vout IDT的相应地电极上方。

6.如权利要求3所述的方法，其中，所述Vin IDT的所述地电极被形成为用于所述MEMS梁的拉入致动器。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述压电滤波器结构是体声波（BAW）滤波器。

8.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述MEMS梁包括：

在所述至少一个压电滤波器结构的交错的电极之上形成绝缘体层；

对所述绝缘体层进行构图以暴露所述交错的电极；

在所述绝缘体层的图形中并在所述交错的电极之上沉积牺牲材料；

在位于所述至少一个压电滤波器结构的所述交错的电极之上的所述牺牲材料上形成梁结构；

在所述梁结构上形成第二绝缘体层，并对所述第二绝缘体层进行构图以暴露所述梁结构的表面；

在所述第二绝缘体层的图形中并在所述梁结构之上形成附加的牺牲材料；

在所述附加的牺牲材料之上形成帽盖层；

在所述帽盖层中形成至少一个通气孔；

通过所述至少一个通气孔对所述牺牲材料和所述附加的牺牲材料开孔，以在所述梁结构附近形成上部腔和下部腔；以及

用材料来封闭所述至少一个通气孔。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述MEMS梁包括：

在第一压电基底上形成电极，其中所述电极中的一个被构造为所述MEMS梁的致动器；

在第二压电基底上形成布线层；

在所述第二压电基底上形成牺牲材料；

使梁结构形成在所述牺牲材料上并与所述布线层接触；

去除所述牺牲材料，以在所述梁结构与所述第二压电基底之间形成间隔；以及

通过焊料材料将所述第一压电基底接合到所述第二压电基底，以便在所述梁结构与所述第一压电基底之间提供间隔，

其中，所述MEMS梁的所述致动器与所述梁结构对准。

10.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述MEMS梁包括在形成于所述多个电极之上的牺牲材料上沉积金属材料并对该金属材料进行构图。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS梁的形成是通过在形成于所述多个电极之上的牺牲材料之上沉积金属和绝缘体材料并对该金属和绝缘体材料进行构图而形成的组合梁结构。

12.如权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS梁被形成为悬臂梁，所述悬臂梁位于致动器之间并与所述至少一个压电滤波器结构的交错的电极垂直。

13.如权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS梁覆盖所述至少一个压电滤波器结构的所述电极的基本上整个区域。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述电极中的地电极被形成为所述MEMS梁的拉入致动器。

15.一种滤波器，包括：

至少一个滤波器，其包括在压电基底上形成的多个电极；以及

梁结构，其位于所述至少一个滤波器之上，并被构造为在被致动时短接所述至少一个滤波器结构。