[发明专利]微机电系统（MEMS）结构和设计结构

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基底上形成至少一个固定电极；以及

在所述至少一个固定电极之上以从微机电系统（MEMS）梁的顶部观看的变化的宽度尺寸形成所述MEMS梁。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述变化的宽度尺寸包括：

形成具有恒定宽度的第一部分和具有缩小区域的第二部分。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述第二部分形成在所述MEMS梁的初始拉入部分处。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述MEMS梁的所述初始拉入部分被形成为下列中的一者：

悬臂MEMS梁的锥形端部；以及

桥式MEMS梁的锥形中段部分。

5.如权利要求3所述的方法，还包括形成从所述MEMS梁的表面朝向所述至少一个固定电极延伸的致动器凸起。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述致动器凸起具有变化的高度，其中位于所述MEMS梁的所述初始拉入部分处的致动器凸起的高度大于位于所述MEMS梁的另一部分处的致动器凸起的高度。

7.如权利要求5所述的方法，还包括在基底中以及两个所述固定电极之间形成至少一个沟槽，所述至少一个沟槽与远离所述MEMS梁的所述初始拉入部分的至少一个所述致动器凸起对准。

8.如权利要求3所述的方法，其中，所述初始拉入部分被形成为具有比所述第一部分的所述恒定宽度小的恒定宽度。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述MEMS梁的所述初始拉入部分被形成为下列中的一者：

悬臂MEMS梁的端部；以及

桥式MEMS梁的中段部分。

10.如权利要求8所述的方法，还包括形成从所述MEMS梁的表面朝向所述至少一个固定致动器延伸的致动器凸起。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述致动器凸起具有变化的高度，其中位于所述MEMS梁的所述初始拉入部分处的致动器凸起的高度大于位于所述MEMS梁的另一部分处的致动器凸起的高度。

12.如权利要求10所述的方法，还包括在基底中以及两个所述固定电极之间形成至少一个沟槽，所述至少一个沟槽与远离所述MEMS梁的所述初始拉入部分的至少一个所述致动器凸起对准。

13.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述变化的宽度尺寸包括：

形成具有恒定宽度尺寸的第一部分；

形成具有锥形宽度尺寸的第二部分；以及

形成具有比所述第一部分的所述恒定宽度尺寸小的恒定宽度尺寸的第三部分，

其中，所述第三部分被形成在所述MEMS梁的所述初始拉入部分处。

14.如权利要求13所述的方法，其中，所述MEMS梁的所述初始拉入部分被形成为下列中的一者：

悬臂MEMS梁的端部；以及

桥式MEMS梁的中段部分。

15.如权利要求13所述的方法，还包括形成从所述MEMS梁的表面朝向所述至少一个固定致动器延伸的致动器凸起，其中，所述致动器凸起具有变化的高度，其中位于所述MEMS梁的所述初始拉入部分处的致动器凸起的高度大于位于所述MEMS梁的另一部分处的致动器凸起的高度。

16.如权利要求15所述的方法，还包括在基底中以及两个所述固定电极之间形成至少一个沟槽，所述至少一个沟槽与远离所述MEMS梁的所述初始拉入部分的至少一个所述致动器凸起对准。

17.一种形成MEMS变抗器的方法，包括：

通过沉积和构图在基底上形成固定电极层；

在所述固定电极之上形成牺牲材料；

在所述牺牲材料之上层叠金属和绝缘体材料；

以变化的宽度尺寸来掩蔽层叠的金属和绝缘体材料；

蚀刻所述层叠的金属和绝缘体材料，以形成具有不等宽度尺寸的梁结构，所述不等宽度尺寸包括所述梁的初始拉入部分的缩小区域部分；以及

通过开孔工艺在所述梁附近形成腔。

18.如权利要求17所述的方法，还包括形成多个致动器凸起，所述多个致动器凸起包含绝缘体材料、从所述梁的表面朝向所述固定电极层延伸、且具有变化的高度。