[发明专利]HARQ数据缓存装置及方法有效

专利信息
申请号: 201310001327.6 申请日: 2013-01-04
公开(公告)号: CN103916224B 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 陈俊 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H04L1/18 分类号: H04L1/18
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 蒋雅洁;王黎延
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: harq 数据 缓存 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种HARQ数据缓存装置,其特征在于,所述装置包括:收集模块、解二次速率匹配模块、HARQ缓存模块及解一次速率匹配模块;其中,

所述收集模块,用于收集解码后的数据,并发送数据到所述解二次速率匹配模块;

所述解二次速率匹配模块,用于接收所述收集模块发送的数据,并对接收到的数据经解二次速率匹配后,分时写入到所述HARQ缓存模块、或分时读取所述HARQ缓存模块已存储数据并与经解二次速率匹配后的数据进行合并后写入到所述HARQ缓存模块;

所述HARQ缓存模块,用于分时采用所述HARQ缓存模块中所包括的第一RAM和第二RAM存储所述解二次速率匹配模块发送来的数据;

所述解一次速率匹配模块,用于分时读取所述HARQ缓存模块中所述第一RAM和所述第二RAM存储的数据,并对所述数据进行解一次速率匹配。

2.根据权利要求1所述的HARQ数据缓存装置,其特征在于,所述解二次速率匹配模块用于:

对接收到的新数据经解二次速率匹配,将速率匹配后的新数据分时写入到所述HARQ缓存模块;

对接收到的重传数据经解二次速率匹配,分时读取所述HARQ缓存模块存储的历史数据,将历史数据与重传数据合并后形成合并后数据,分时将合并后数据写入到所述HARQ缓存模块。

3.根据权利要求1所述的HARQ数据缓存装置,其特征在于,所述HARQ缓存模块用于:

当所述解二次速率匹配模块写入新数据时,分时采用第一RAM和第二RAM存储新数据;

当所述解二次速率匹配模块写入合并后数据时,分时采用第一RAM和第二RAM存储合并后数据。

4.根据权利要求1或3所述的HARQ数据缓存装置,其特征在于,所述RAM均为单口RAM。

5.一种HARQ数据缓存方法,其特征在于,该方法包括:

收集模块收集解码后数据并发送;

解二次速率匹配模块接收解码后数据经解二次速率匹配后,分时写入HARQ缓存模块、或分时读取HARQ缓存模块已存储数据并与经解二次速率匹配后的数据进行合并后写入到HARQ缓存模块;

HARQ缓存模块分时采用所述HARQ缓存模块中所包括的第一RAM和第二RAM存储所述解二次速率匹配模块发送来的数据;

解一次速率匹配模块分时读取HARQ缓存模块中所述第一RAM和所述第二RAM存储的数据并进行解一次速率匹配。

6.根据权利要求5所述的HARQ数据缓存方法,其特征在于,所述解二次速率匹配模块接收解码后数据经解二次速率匹配后,分时写入HARQ缓存模块包括:

所述解二次速率匹配模块接收由收集模块发送来的解码后的新数据,对新数据进行解二次速率匹配后,向HARQ缓存模块发送写使能信号,

在第N时钟周期里,解二次速率匹配模块将第一新数据写入到第一RAM的对应地址;

在第N+1时钟周期里,解二次速率匹配模块将第二新数据写入到第一RAM的对应地址;

在第N+2时钟周期里,解二次速率匹配模块将第三新数据写入到第二RAM的对应地址;

在第N+3时钟周期里,解二次速率匹配模块将第四新数据写入到第二RAM的对应地址;

直至解二次速率匹配模块将新数据分时写入到HARQ缓存模块中的第一RAM和第二RAM完毕;其中,N为正整数。

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