[发明专利]一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法及其装置

权利要求书

1.一种基片强适应性纳米材料均匀成膜方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）制备纳米材料混合液或纳米材料溶液；

2）在步骤1）中所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液上方的气体中，制造载气流场；

3）雾化步骤1）所得的纳米材料混合液或纳米材料溶液，形成纳米材料雾化液滴；

4）步骤2）所述的载气流场带动步骤3）形成的所述纳米材料雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中，当所述基片的所需涂覆面积大于单次喷射面积时，进一步包括以下工序：

调节所述基片的位置，随着所述基片的运动，将雾化液滴均匀喷涂到所述基片表面所需涂覆的所有区域。

3.如权利要求1所述的方法，其中，当所述基片的所需涂覆面积大于单次喷射面积时，进一步包括以下工序：

a）停止所述载气流场的气体流动；

b）调节所述基片的位置，所述基片运动到待喷雾位置后，停止运动；

c）依次进行步骤2）、步骤3）和步骤4）；

d）重复工序a）、工序b）和工序c）至所述基片的所需涂覆面积被雾化液滴均匀涂覆。

4.如权利要求1所述的方法，其中，当所述基片的所需涂覆面积大于单次喷射面积时，进一步包括以下工序：

a）停止所述雾化；

b）调节所述基片的位置，所述基片运动到待喷雾位置后，停止运动；

c）依次进行步骤3）和步骤4）；

d）重复工序a）、工序b）和工序c）至所述基片的所需涂覆面积被雾化液滴均匀涂覆。

5.如权利要求1所述的方法，其中，当所述基片的所需涂覆面积大于单次喷射面积时，进一步包括以下工序：

a）停止所述载气流场的气体流动和所述雾化；

b）调节所述基片的位置，所述基片运动到待喷雾位置后，停止运动；

c）依次进行步骤2）、步骤3）和步骤4）；

d）重复工序a）、工序b）和工序c）至所述基片的所需涂覆面积被雾化液滴均匀涂覆。

6.如权利要求1所述的方法，其中，步骤2）中所述载气流场的方向为垂直向上，所述载气流场中为连续的流动气体，或为随时间周期性波动的流动气体。

7.如权利要求1所述的方法，其中，步骤3）所述的雾化为连续地形成纳米材料雾化液滴，或随时间周期性地形成纳米材料雾化液滴。

8.一种基片强适应性纳米材料均匀化成膜装置，其特征在于，包括液体样品容器、超声雾化器、向上气流发生器、系统状态控制器，其中，所述超声雾化器设置在所述液体样品容器内部，将所述液体样品容器内部盛放的纳米材料混合液或纳米材料溶液雾化，形成纳米材料雾化液滴；所述向上气流发生器包括导流通道、压差驱动器和雾化液滴射流喷口；所述压差驱动器与所述液体样品容器的侧部相连，或位于所述样品容器内部，或位于所述导流通道内部，或与所述导流通道顶部相连，所述压差驱动器在所述纳米材料混合液或纳米材料溶液上方的气体中，制造载气流场；所述导流通道位于所述液体样品容器上部，与所述液体样品容器的顶部相连，在所述导流通道内部，所述载气流场带动所述雾化液滴垂直向上移动至所述雾化液滴射流喷口，使所述雾化液滴竖直向上地喷射到基片表面；所述系统状态控制器与所述液体样品容器、所述超声雾化器及所述向上气流发生器均不连通，或位于所述导流通道内部，或与所述导流通道的侧部相连，通过所述系统状态控制器调节所述基片的位置，使所述基片表面被所述雾化液滴均匀涂覆。

9.如权利要求8所述的装置，其中，所述的系统状态控制器包括位移系统，所述位移系统使用步进电机、伺服电机或气缸提供动力。

10.如权利要求9所述的装置，其中，所述的系统状态控制器包括加热系统，所述加热系统使用正温度系数加热器或远红外加热器作为热源。