[发明专利]莲房原花青素预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤的用途无效
申请号: | 201310000900.1 | 申请日: | 2013-01-05 |
公开(公告)号: | CN103156839A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 张海晖;段玉清;王志高;武妍;张瑞;马海乐 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | A61K31/353 | 分类号: | A61K31/353;A61P25/00 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 莲房 花青素 预防 低频 电磁场 氧化 应激 损伤 用途 | ||
【权利要求书】:
1.莲房原花青素的用途,用于制备预防极低频电磁场致脑氧化应激损伤学习记忆中的药物。
2.根据权利要求1所述的莲房原花青素的用途,其特征在于其中所述莲房原花青素的结构式为:
;
其中 n =1~4。
3.根据权利要求2所述的莲房原花青素的用途,其特征在于其中所述莲房原花青素的结构式为:
。
4.根据权利要求1或2所述的莲房原花青素的用途,其特征在于其中莲房原花青素可制成各种口服剂型。
5.根据权利要求1所述的莲房原花青素的用途,其特征是莲房原花青素对极低频电磁场诱导的脑氧化应激损伤具有预防作用。
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