[发明专利]一种基于ZnO纳米线的跨尺度葡萄糖传感器用电极及其制备方法

权利要求书

1.一种基于ZnO纳米线的跨尺度葡萄糖传感器用电极，其特征在于：包括作为基底的光纤纤芯（1），以螺旋线方式绕制在光纤纤芯（1）上的键合金丝，其中键合金丝分为螺旋线部分（2）和引线部分（3），一层沿螺旋线部分（2）的螺旋线表面法线方向生长的ZnO纳米线（4），一层固定在ZnO纳米线（4）上的葡萄糖氧化酶（5）。

2.根据权利要求1所述的基于ZnO纳米线的跨尺度葡萄糖传感器用电极，其特征在于：所述的光纤纤芯（1）的长度为30mm，直径为125μm。

3.根据权利要求1所述的基于ZnO纳米线的跨尺度葡萄糖传感器用电极，其特征在于：所述的键合金丝的长度为80mm，直径为30μm。

4.根据权利要求1所述的基于ZnO纳米线的跨尺度葡萄糖传感器用电极，其特征在于：所述的ZnO纳米线采用水热法沿键合金丝螺旋线表面的法线方向上生长。

5.一种基于ZnO纳米线的跨尺度葡萄糖传感器用电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）取长度为30mm的光纤，用丙酮浸泡并剥去光纤包层，抽出直径为125μm的光纤纤芯（1）；

2）取长度为80mm、直径为30μm的键合金丝；

3）将键合金丝以螺旋线方式绕制在光纤纤芯（1）上，形成螺旋线组件，其中键合金丝分为螺旋线部分（2）和引线部分（3），并对该螺旋线组件进行标准清洗；

4）配制浓度为1mmol/L的ZnO纳米线种子层溶液；

5）将键合金丝螺旋线部分（2）浸入ZnO纳米线种子层溶液，保持2分钟后取出，在键合金丝螺旋线部分（2）上沉积ZnO纳米线种子层；

6）将沉积有ZnO纳米线种子层的螺旋线组件置于150℃的真空干燥机中完成退火处理；

7）配制浓度为0.025mol/L的ZnO纳米线生长液；

8）采用水热法于90℃下沿键合金丝的螺旋线表面法线方向上生长ZnO纳米线，得到微纳米跨尺度结构；

9）超声清洗长有ZnO纳米线的螺旋线组件，并在室温下干燥；

10）配制浓度为0.01mol/L、pH为7.4的磷酸盐缓冲液；

11）将葡萄糖氧化酶加入到上述磷酸盐缓冲液中配制浓度为10mg/mL的葡萄糖氧化酶溶液；

12）将生长有ZnO纳米线的键合金丝螺旋线部分浸入葡萄糖氧化酶溶液中保持15分钟后取出，并在室温下干燥，得到一层固定在ZnO纳米线上的、用于催化作用的葡萄糖氧化酶；

13）将光纤纤芯末端以及键合金丝引线部分穿过塑料吸管的进口，并从塑料吸管末端露出，同时确保键合金丝螺旋线部分处于塑料吸管进口的外端面，然后往塑料吸管中注入环氧树脂，并在室温下使之固化。