[发明专利]串联ROM单元及其读取方法

权利要求书

1.一种串联ROM单元，其特征在于：至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)，所述第一MOS管(MOS31)的漏极和第二MOS管(MOS32)的漏极分别通过可编程的方式连接至第一位线(BL30)和第二位线(BL31)上，所述第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)的栅极分别连接至第一字线(WL30)和第二字线(WL31)上。

2.根据权利要求1所述的串联ROM单元，其特征在于：所述第一MOS管(MOS31)的源极与第二MOS管(MOS32)的栅极相共接。

3.根据权利要求1所述的串联ROM单元，其特征在于：所述第二存储单元组包括串联连接的第三MOS管(MOS33)和第四MOS管(MOS34)，所述第三MOS管(MOS33)的漏极和第四MOS管(MOS34)的漏极分别通过可编程的方式连接至第二位线(BL31)和第一位线(BL30)上，所述第三MOS管(MOS33)和第四MOS管(MOS34)的栅极分别连接至第三字线(WL32)和第四字线(WL33)上。

4.根据权利要求1所述的串联ROM单元，其特征在于：所述第二MOS管(MOS32)的源极和第三MOS管(MOS33)的源极共接于VSS。

5.一种串联ROM单元，其特征在于：至少包括通过背靠背方式相接的第一存储单元组和第二存储单元组，所述第一存储单元组和第二存储单元组的结构相同，所述第一存储单元组包括串联连接的第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)，所述第一MOS管(MOS31)的漏极和第二MOS管(MOS32)的漏极分别通过可编程的方式连接至第一位线(BL30)和第二位线(BL31)上，所述第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)的栅极合并连接至第五字线(WL40)上。

6.根据权利要求5所述的串联ROM单元，其特征在于：所述第一MOS管(MOS31)的源极与第二MOS管(MOS32)的栅极相共接。

7.根据权利要求5所述的串联ROM单元，其特征在于：所述第二存储单元组包括串联连接的第三MOS管(MOS33)和第四MOS管(MOS34)，所述第三MOS管(MOS33)的漏极和第四MOS管(MOS34)的漏极分别通过可编程的方式连接至第二位线(BL31)和第一位线(BL30)上，所述第三MOS管(MOS33)和第四MOS管(MOS34)的栅极合并连接至第六字线(WL41)上。

8.根据权利要求5所述的串联ROM单元，其特征在于：所述第二MOS管(MOS32)的源极和第三MOS管(MOS33)的源极共接于VSS。

9.一种根据权利要求1所述的串联ROM单元的读取方法，其特征在于：在读取第一MOS管(MOS31)的存储信息时，需要同时打开第一字线(WL30)和第二字线(WL31)，通过第一位线(BL30)读取；在读取所述第二MOS管(MOS32)的存储信息时，只需打开第二字线(WL31)，通过第二位线(BL31)读取。

10.一种根据权利要求9所述的读取方法，其特征在于：所述第一MOS管(MOS31)上的存储信息是通过第一位线和第二位线相组合读取的。

11.一种如权利要求5所述的串联ROM单元的读取方法，其特征在于：在读取第一MOS管(MOS31)和第二MOS管(MOS32)的存储信息时，通过第一位线(BL31)和第二位线(BL30)分别读取或者同时读取的方式进行读取的。

12.一种根据权利要求11所述的读取方法，其特征在于：在同时读取时，通过第一位线(BL30)和第二位线(BL31)一次读出两比特的信息。