[发明专利]半导体器件及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件及其控制方法。

背景技术

近年来，半导体器件的功能和性能根据其小型化而得以提高，但是结果，所消耗功率中的泄漏功率(被泄漏电流消耗的功率)比例趋于增加。已知泄漏功率根据温度而突变。

顺便提及，专利文献1至3均公开了用于根据中央处理单元(CPU)或处理器的温度来控制操作频率(操作块的频率)的技术。

引用列表

专利文献

[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2000-187523号

[专利文献2]日本未审查专利申请公开第2009-230670号

[专利文献3]日本未审查专利申请公开第7-160367号

发明内容

技术问题

本发明的发明人已经找到当开发用于通信终端等的半导体器件时的各种问题。本申请所公开的每个实施例都提供了例如适合于通信终端等的半导体器件。

将从本说明书的描述和附图中明确其他问题和新颖特性。

问题的解决方案

在根据一个实施例的半导体器件中，当测量温度高于预定参考温度时，操作频率从第一频率切换到高于第一频率的第二频率。

本发明的有利效果

根据一个实施例，可以提供高质量的半导体器件，其例如适合于诸如无线通信终端的电子设备。

附图说明

图1是用于描述泄漏电流的MOSFET的截面图。

图2A是示出恒定处理负载中的消耗功率的操作频率依赖性的示图；

图2B是示出恒定处理负载中的消耗功率的温度依赖性的示图；

图3是示出针对泄漏功率PL、待机功率PI和有效功率PA中的每一个的操作频率和温度的依赖性的表格；

图4A是示意性示出当根据比较示例的半导体器件的温度为低时消耗功率的配置的示图；

图4B是示意性示出当根据比较示例的半导体器件的温度为高时消耗功率的配置的示图；

图5A是示出无线通信终端的示例性结构的外视图；

图5B是示出无线通信终端的示例性结构的外视图；

图6是示出根据第一实施例的无线通信设备的示例性结构的框图；

图7是示出根据第一实施例的应用处理器601的示例性结构的框图；

图8是用于描述根据第一实施例的功率降低模式控制方法(主程序)的流程图；

图9是用于描述根据第一实施例的参考温度计算方法(子程序1)的流程图；

图10是用于描述根据第一实施例的测量温度获取方法(子程序2)的流程图；

图11A是示意性示出当根据第一实施例的示例的半导体器件的温度为低(测量温度Ta<参考温度Tref)时(处于待机功率降低模式)消耗功率的配置的示图；

图11B是示意性示出当根据第一实施例的示例的半导体器件的温度为高(参考温度Tref<测量温度Ta)时(处于泄漏功率降低模式)消耗功率的配置的示图；

图12是示意性示出根据第一实施例的示例的半导体器件中消耗的功率的温度依赖性的示图；

图13是示出根据第二实施例的应用处理器601的示例性结构的框图；

图14A是用于描述根据实际使用情况(音乐再现和视频再现)的功率降低模式控制方法的细节的时序图；

图14B是用于描述根据实际使用情况(音乐再现和视频再现)的功率降低模式控制方法的细节的时序图；

图14C是用于描述根据实际使用情况(音乐再现和视频再现)的功率降低模式控制方法的细节的时序图；

图14D是用于描述根据实际使用情况(音乐再现和视频再现)的功率降低模式控制方法的细节的时序图；

图14E是用于描述根据实际使用情况(音乐再现和视频再现)的功率降低模式控制方法的细节的时序图；

图15是用于描述根据第三实施例的功率降低模式控制方法(主程序)的流程图；

图16A是用于描述当根据第三实施例的示例的半导体器件的温度增加时消耗功率的温度依赖性的示图；以及

图16B是用于描述当根据第三实施例的示例的半导体器件的温度降低时消耗功率的温度依赖性的示图。

具体实施方式

以下，参照附图，将详细描述具体示例性实施例。然而，应该注意，本发明不限于以下实施例。为了描述的清楚适当简化以下描述和附图。

<预先检查的事项>

<泄漏功率的原因>