[发明专利]互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 201280077240.0 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105144363B | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 王坚;贾照伟;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供具有介质层的硅片；
在介质层上形成第一凹槽区和非凹槽区，第一凹槽区用于形成互连结构；
在介质层上形成第二凹槽区，第二凹槽区用于形成虚拟结构；
沉积阻挡层以覆盖第一和第二凹槽区、以及非凹槽区；
沉积金属层，金属层填满第一和第二凹槽区并覆盖非凹槽区上；
将非凹槽区上的金属层去除以暴露阻挡层，其中去除金属层包括先采用化学机械抛光的方法将部分金属层去除，后用电化学抛光的方法将余下的金属层去除，以及虚拟结构阻止阻挡层被氧化；
将非凹槽区上的阻挡层去除以暴露介质层。
2.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构形成在介质层的场区。
3.根据权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构的密度是硅片上互连结构密度的50％-100％。
4.根据权利要求2所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述硅片上两相邻近的互连结构和虚拟结构间的间距W1为20nm-5000nm。
5.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构的尺寸为20nm-5000nm，其中，虚拟结构的长度Dl为20nm-5000nm，虚拟结构的宽度Dw为20nm-5000nm。
6.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构形成在介质层上相邻两金属线之间宽广区域。
7.根据权利要求6所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述宽广区域的宽度W3大于或等于60nm。
8.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构形成在介质层上孤立的金属线的两边区域。
9.根据权利要求8所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构的密度是硅片上互连结构密度的20％-80％。
10.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构具有一种或多种不同形状。
11.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构与互连结构同时形成。
12.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，所述虚拟结构的材料与互连结构的材料相同。
13.根据权利要求1所述的互连结构的形成方法，其特征在于，使用XeF
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
