[发明专利]共源共栅放大器在审

专利信息
申请号: 201280076909.4 申请日: 2012-11-09
公开(公告)号: CN104769840A 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: 嘉藤胜也;宫下美代;冈俊英;堀口健一;森一富;向井谦治;藤原孝信 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03F1/22 分类号: H03F1/22
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 共源共栅 放大器
【权利要求书】:

1.一种共源共栅放大器,其特征在于,其具有:

相互并联连接的多个源极接地晶体管;

多个栅极接地晶体管,它们相互并联连接,具有分别与所述多个源极接地晶体管的漏极连接的源极;

与所述多个源极接地晶体管的源极连接的接地焊盘;以及

多个接地电容,它们分别连接在所述多个栅极接地晶体管的栅极和所述接地焊盘之间,

在所述接地焊盘与所述多个栅极接地晶体管之间,交替配置有所述多个源极接地晶体管和所述多个接地电容。

2.一种共源共栅放大器,其特征在于,其具有:

相互并联连接的多个源极接地晶体管;

多个栅极接地晶体管,它们相互并联连接,具有分别与所述多个源极接地晶体管的漏极连接的源极;

与所述多个源极接地晶体管的源极连接的接地焊盘;以及

接地电容,其连接在所述多个栅极接地晶体管的栅极和所述接地焊盘之间,

所述接地电容被配置在所述接地焊盘的下方,通过多个布线与所述多个栅极接地晶体管的栅极连接。

3.一种共源共栅放大器,其特征在于,其具有:

相互并联连接的多个源极接地晶体管;

多个栅极接地晶体管,它们相互并联连接,具有分别与所述多个源极接地晶体管的漏极连接的源极;

与所述多个源极接地晶体管的源极连接的接地焊盘;以及

接地电容,其连接在所述多个栅极接地晶体管的栅极和所述接地焊盘之间,

所述接地电容被配置在所述多个源极接地晶体管与所述多个栅极接地晶体管之间。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的共源共栅放大器,其特征在于,

所述共源共栅放大器还具有半导体基板,

在所述半导体基板上,从所述半导体基板的边缘朝内侧依次配置有所述接地焊盘、所述多个源极接地晶体管和所述多个栅极接地晶体管。

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