[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201280076656.0 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN104756248A 公开(公告)日: 2015-07-01
发明(设计)人: 齐藤省二; 哈利德·哈桑·候赛因; 饭塚新 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34; H01L23/28
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波; 张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,具有:

半导体元件,其具有上表面和下表面;

金属板,其与所述下表面进行了热连接;

上表面电极,其被软钎焊于所述上表面;

绝缘片,其在所述上表面电极之上,以与所述上表面电极进行面接触的方式形成;

屏蔽板,其在所述绝缘片之上以与所述绝缘片进行面接触的方式形成,屏蔽辐射噪声;以及

树脂,其使所述上表面电极的一部分、所述屏蔽板的一部分、以及所述金属板的下表面露出到外部,并覆盖所述半导体元件,

所述绝缘片的热传导率比所述树脂的热传导率高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述屏蔽板在所述半导体元件的正上部从所述树脂向外部露出。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,

在所述屏蔽板中从所述树脂向外部露出的部分处形成有凸部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述屏蔽板具有:

顶板部分,其与所述绝缘片接触;以及

第一包围部分,其与所述顶板部分连接,包围所述半导体元件的侧面,具有用于使所述上表面电极通过的空隙。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述金属板具有:

底板部分,其下表面露出到所述树脂的外部;以及

第二包围部分,其与所述底板部分连接,包围所述半导体元件的侧面,具有用于使所述上表面电极通过的空隙,

所述屏蔽板的与所述绝缘片进行面接触的面与所述第二包围部分的上表面接触。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述屏蔽板由添加了导电性金属的树脂形成。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

具有控制基板,该控制基板以位于所述屏蔽板的上方的方式固定于所述树脂。

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