[发明专利]用于薄膜沉积反应器和薄膜层的原位干式清洁的过程和方法

权利要求书

1.一种从化学反应室的内表面或从所述化学反应室内的基板清洁第III-V族半导体薄膜薄膜沉积的反应产物沉淀的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述反应室加热至100℃-400℃的温度；

产生腐蚀剂气体，并将腐蚀剂气体引入所述反应室中，所述腐蚀剂气体选自：SOI₂、SOCl₂、SOBr₂、SO₂Cl₂、SO₂Br₂、NOCl、NOBr、NOI、S₂Cl₂,S₂Br₂、SCl₂、SBr₂、SOClBr、SOClF或SOFBr；

在所述引入之前或之后使所述腐蚀剂气体活化；

允许在所述腐蚀剂气体与所述反应产物沉积物之间进行腐蚀反应以除去所述反应产物沉积物而在所述反应室内无明显的腐蚀反应产物再沉积；

与所述腐蚀反应的基本上所有产物一起排出所述腐蚀剂气体；

其中在所述腐蚀反应过程中，所述反应室内的压力在20mBar和1000mBar之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在将所述腐蚀剂气体所述引入所述室之前，使载气鼓泡通过液体化学组分以使所述液体化学组分挥发至所述腐蚀剂中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由使载气鼓泡通过多种液体化学组分，然后合并所述所得气体来产生的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由混合两种或更多种化学组分气体而产生的。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之前，将所述腐蚀剂气体暴露于气体活化室中的活化机制而活化；所述气体活化机制选自由加热、紫外光以及等离子体放电组成的组。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之后，将所述腐蚀剂气体暴露于热活化机制而活化；所述热活化机制选自由所述反应室内的整体温度和所述反应室内的局部热源组成的组。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体进一步含有通式RX的添加剂，其中：

R选自由H和Me组成的组；并且

X选自由F、Cl、Br和I组成的组。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体还含有卤素气体添加剂。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述的温度在250℃和400℃之间。