[发明专利]具有至少一个部分或全部平的表面的基质和其应用在审
申请号: | 201280075323.6 | 申请日: | 2012-06-15 |
公开(公告)号: | CN105228732A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 尹景炳;范曹盛东;金铉成 | 申请(专利权)人: | 发现知识有限公司 |
主分类号: | B01D69/12 | 分类号: | B01D69/12;B01D71/00;C01B39/02;C01B39/36 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;陆惠中 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 至少 一个 部分 全部 表面 基质 应用 | ||
1.基质,其至少一个表面是部分或全部平的,包括:
由第一基质形成颗粒形成的基质;
第二基质形成颗粒,其被填充用于填充一些或全部第一孔隙,所述第一孔隙在置于所述基质的至少一个表面上的所述第一基质形成颗粒之间产生;和
聚合物,其被填充用于填充一些或全部第二孔隙,所述第二孔隙保持在用所述第二基质形成颗粒填充的部分中。
2.权利要求1所述的基质,其中所述基质的至少一个表面是平的以允许非球形晶种排列以便所述晶种的a轴、b轴和c轴中的一个或多个或全部根据预设的规则被定向。
3.权利要求1所述的基质,其中所述第一基质形成颗粒具有大于所述第二基质形成颗粒的平均粒径。
4.权利要求1所述的基质,其中一种或多种第二基质形成颗粒被填充在由所述第一基质形成颗粒产生的所述第一孔隙的每个中。
5.权利要求1所述的基质,其中所述第一基质形成颗粒和所述第二基质形成颗粒由相同或不同材料制成。
6.权利要求1所述的基质,其中所述第一基质形成颗粒和所述第二基质形成颗粒独立地选自:(i)氧化物,其包括一种或多种金属和非金属元素,并且其表面上具有羟基;(ii)单一金属或金属合金,其与巯基(-SH)或胺(-NH2)基团形成键;(iii)其表面上具有官能团的聚合物;(iv)半导体化合物;或(v)沸石或其沸石类分子筛。
7.权利要求1所述的基质,其中所述第一基质形成颗粒和所述第二基质形成颗粒独立地选自有序的多孔材料。
8.权利要求1所述的基质,其中所述第一基质形成颗粒和所述第二基质形成颗粒独立地是多孔二氧化硅。
9.权利要求1所述的基质,其中所述聚合物是天然聚合物、合成的聚合物和导电聚合物。
10.权利要求1所述的基质,其中所述聚合物具有羟基或是可处理的以在其表面上具有羟基。
11.权利要求1所述的基质,其通过以下来制备:将所述第二基质形成颗粒置于由所述第一基质形成颗粒形成的所述基质表面上,将压力施加到所述第二基质形成颗粒以将其插入到所述第一基质形成颗粒之间形成的所述第一孔隙,之后煅烧,用所述聚合物溶液涂布所述煅烧的基质表面,和加热所述聚合物涂布的基质以蒸发所述溶剂或固化所述聚合物。
12.基质复合物,包括:
权利要求1至11中任一项阐述的基质;和
非球形晶种,其排列在所述基质的至少一个表面的平的部分以便所述晶种的a轴、b轴和c轴中的一个或多个或全部根据预设的规则被定向。
13.制备薄膜或厚膜的方法,所述方法包括:
(1)在权利要求1至11中任一项阐述的基质的至少一个表面的平的部分上排列非球形晶种,以便所述晶种的a轴、b轴和c轴中的一个或多个或全部根据预设的规则被定向;和
(2)将所述排列的晶种暴露于晶种生长溶液,和通过二次生长方法从所述晶种形成和生长膜。
14.权利要求13所述的方法,其中用于步骤(2)的所述晶种生长溶液包括结构导向剂。
15.权利要求14所述的方法,其中用于步骤(2)的所述结构导向剂起到仅诱导从所述晶种表面的二次生长的功能而不诱导所述晶体生长溶液中或所述晶种表面上的晶体成核作用。
16.权利要求13所述的方法,其中步骤(2)中所述晶种的二次生长允许在二维上彼此连接,同时从其所述表面上垂直生长以形成三维结构,从而形成所述膜。
17.权利要求13所述的方法,其中所述晶种选自有序的多孔材料。
18.权利要求13所述的方法,其中步骤(1)中所述晶种被排列以便所述晶种的全部a轴被彼此平行定向,所述晶种的全部b轴被彼此平行定向,所述晶种的全部c轴被彼此平行定向,或其组合。
19.权利要求18所述的方法,其中步骤(1)中所述晶种的所述a轴、b轴或c轴被垂直于所述基质表面定向。
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