[发明专利]存储具有负微分电阻材料的存储器

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

晶体管，具有第一源极/漏极端子，所述第一源极/漏极端子利用半导体材料与第二源极/漏极端子分隔开；

栅极端子，被放置在所述半导体材料附近使得栅极端子电压的增加会增加所述半导体材料的导电率；并且

所述第一源极/漏极端子串联连接到负微分电阻材料。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述负微分电阻材料是电流控制的负微分电阻材料。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第二源极/漏极端子电连接到电流传感器。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述负微分电阻材料被合并到连接至所述第一源极/漏极端子的垂直连接器中。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述第一源极/漏极端子连接到写入线，所述第二源极/漏极端子连接到位线，并且所述栅极端子连接到读取使能线。

6.一种存储器装置，包括：

以多行和多列布置的多个存储器单元；

每个存储器单元包括：晶体管，具有第一源极/漏极端子，所述第一源极/漏极端子利用半导体材料与第二源极/漏极端子分隔开；和被放置在所述半导体材料附近的栅极端子；并且

所述第一源极/漏极端子串联连接到负微分电阻材料。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储器单元包括互补金属氧化物半导体电路。

8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述多行连接到电流传感器。

9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述第一源极/漏极端子连接到写入线，所述第二源极/漏极端子连接到位线，并且所述栅极端子连接到读取使能线。

10.根据权利要求6的存储器装置，其中所述多个存储器单元被合并到包括多个处理器模块的集成电路中。

11.一种用于存储具有负微分电阻材料的存储器的方法，包括：

在双稳态存储器单元的第一稳定区域内保持电压在第一值，在所述第一稳定区域中所述双稳态存储器单元包括串联连接到晶体管的第一源极/漏极端子的负微分电阻材料；和

将所述电压改变到第二值以切换所述双稳态存储器单元的电阻状态。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：利用电连接到所述晶体管的第二源极/漏极端子的电流传感器测量所述电阻状态。

13.根据权利要求12所述的方法，其中利用连接到第二源极/漏极端子的电流传感器测量所述电阻状态包括：改变所述第一源极/漏极端子和所述第二源极/漏极端子与所述晶体管的栅极端子之间的导电率。

14.根据权利要求11所述的方法，将所述电压改变到第二值以切换所述双稳态存储器单元的电阻状态包括：暂时降低所述电压以将所述双稳态存储器单元切换至高电阻状态。

15.根据权利要求11所述的方法，将所述电压改变到第二值以切换所述双稳态存储器单元的电阻状态包括：暂时增加所述电压以将所述双稳态存储器单元切换至低电阻状态。