[发明专利]化学机械抛光设备有效
申请号: | 201280073810.9 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN104508802B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 李世珖;金渊澈;李周翰;崔在光;夫在弼 | 申请(专利权)人: | 二和钻石工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 张晶,王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 设备 | ||
1.一种化学机械抛光(CMP)设备,其测量CMP垫调节器的振动加速,所述CMP垫调节器调节CMP垫,所述化学机械抛光设备包括:
振动计,其检测振动以测量所述CMP垫调节器的振动加速度;
控制器,当由所述振动计测得的所述振动加速度处于预先储存的振动加速度的范围之外时,所述控制器产生针对所述CMP设备的检查信号或针对所述CMP垫调节器的更换信号,其中,当产生检查信号时,所述控制器调节并检查影响振动加速度的处理条件从而使所测得的振动加速度处于事先储存的振动加速度的范围内,所述处理条件包括:所述CMP垫调节器的负载、施加负载至所述CMP垫调节器的方法、所述CMP垫调节器被安装时旋转体的容限以及所述振动计被安装的位置,并且
当所测得的调节处理条件后的振动加速度偏离事先储存的振动加速度范围时,所述控制器产生更换信号。
2.一种化学机械抛光设备,其包含:
摆动单元,其被安装成与平台分隔预定间隔,待调节的CMP垫置于所述平台上;
连接器,其在垂直于所述摆动单元的一端安装在所述摆动单元的上端上,且在所述CMP垫上方绕所述摆动单元枢轴旋转;
旋转体,其可转动地安装在所述连接器的另一端上;
CMP垫调节器,其与所述旋转体联接,并在被转动时调节所述CMP垫;
振动计,其安装在所述连接器上,并且检测振动以测量所述CMP垫调节器的振动加速度;以及
控制器,当由所述振动计测得的所述振动加速度处于预先储存的振动加速度的范围之外时,所述控制器产生针对所述CMP设备的检查信号或针对所述CMP垫调节器的更换信号,
其中当产生检查信号时,所述控制器调节并检查影响振动加速度的处理条件从而使所测得的振动加速度处于事先储存的振动加速度的范围内,所述处理条件包括:所述CMP垫调节器的负载、施加负载至所述CMP垫调节器的方法、所述CMP垫调节器被安装时旋转体的容限以及所述振动计被安装的位置,并且
当所测得的调节处理条件后的振动加速度偏离事先储存的振动加速度范围时,所述控制器产生更换信号。
3.如权利要求2所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述振动计安装在所述连接器上且在选自对应于所述摆动单元的位置、对应于所述旋转体的位置及所述连接器的中间位置的任何位置上。
4.如权利要求3所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述振动计安装在所述连接器上且在对应于旋转体的位置上。
5.如权利要求1或2所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述CMP垫调节器的所述振动加速度与所述CMP垫的损耗率成比例。
6.如权利要求1或2所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述CMP垫调节器的所述振动加速度被调整,以处于从0.06m/s2至5.4m/s2的范围中。
7.如权利要求6所述的化学机械抛光设备,其特征在于,当所述CMP垫调节器的被调整的振动加速度处于从0.06m/s2至5.4m/s2的范围之外时,检查所述CMP设备或更换所述CMP垫调节器。
8.如权利要求1或2所述的化学机械抛光设备,其特征在于,所述预先储存的振动加速度的范围为0.06m/s2至5.4m/s2。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造