[发明专利]选择性地进行存储器的更新的控制装置

说明书

技术领域

本发明涉及控制装置、控制方法以及控制程序。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)通过存储单元的电容器的积蓄电荷的有无来存储“1”或者“0”的信息。电容器的积蓄电荷通过pn接合的微小泄漏等而被慢慢失去，所以在包括DRAM的系统中，定期地进行重新写入相同的信息的更新动作。

作为相关的现有技术，例如，有根据与预先存储的存储地址的范围对应的存储块的编号，利用来自上位装置的指令来选择符合的存储块，开/关该存储块的更新信号的技术。另外，有通过根据来自中央处理装置的指令停止更新动作，从而减少CPU的开销的技术。另外，在字线被活性化，更新指示信号被活性化的情况下，在保持电路的输出表示没有写入历史的值的情况下，停止被作为传感放大器的驱动电源供给的传感放大器驱动信号的活性化。

专利文献1：日本特开平10-177786号公报

专利文献2：日本特开平2-048752号公报

专利文献3：日本特开2003-187577号公报

然而，根据现有技术，存在由于用于保持存储于存储区域的信息的更新动作，导致系统的耗电量的增加这样的问题。

发明内容

一方面中，本发明的目的在于，抑制存储器的更新动作所需的耗电量。

根据本发明的一方面，提出了如下的控制装置、控制方法以及控制程序，即，检测针对通过将电荷充放电来存储信息的存储器内的规定的存储区域的访问请求，判定根据检测到的上述访问请求写入上述存储区域的写入信息或者从上述存储区域读出的读出信息是否与电荷被放电的情况下存储于上述存储区域的信息一致，并在判定为上述写入信息或者上述读出信息与电荷被放电的情况下存储于上述存储区域的信息一致的情况下，使针对上述存储区域的更新动作停止。

另外，根据本发明的一方面，提出了如下的控制装置、控制方法以及控制程序，即，对清除存储于通过将电荷充放电来存储信息的存储器内的规定的存储区域的信息的清除指令进行检测，并在检测到上述清除指令的情况下，使针对上述存储区域的更新动作停止。

根据本发明的一方式，起到能够抑制存储器的更新动作所需的耗电量这样的效果。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的控制方法的一实施例。

图2是实施方式2所涉及的控制方法的一实施例。

图3是表示系统300的系统构成例的说明图。

图4是表示清除标志表400的存储内容的一个例子的说明图。

图5是示出表示访问请求的数据包的具体例的说明图(其1)。

图6是示出表示访问请求的数据包的具体例的说明图(其2)。

图7是表示DRAM305的存储单元阵列的一个例子的说明图。

图8是表示控制装置101的功能构成例的框图。

图9是表示判定部802的动作例的说明图。

图10是表示系统300的清除处理所涉及的动作例的说明图。

图11是表示控制装置101的更新处理步骤的一个例子的流程图(其1)。

图12是表示控制装置101的更新处理步骤的一个例子的流程图(其2)。

图13是表示控制装置101的更新处理步骤的一个例子的流程图(其3)。

图14是表示控制装置101的控制处理步骤的一个例子的流程图。

具体实施方式

以下参照附图对该发明所涉及的控制装置、控制方法以及控制程序的实施方式进行详细说明。

(实施方式1)

图1是实施方式1所涉及的控制方法的一实施例。在图1中，系统100包括控制装置101、CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)102、以及存储器103。

控制装置101控制针对存储器103的信息的读/写。另外，控制装置101控制存储器103的更新动作。CPU102负责系统100整体的控制。

存储器103是通过将电荷充放电来存储信息的存储装置。具体而言，例如，存储器103通过存储单元的电容器的积蓄电荷的有无来存储“1”或者“0”的信息。存储单元是存储1比特的单位信息的电路，包括晶体管和电容器。