[发明专利]具有纳米结构电极的生物传感器有效
申请号: | 201280071882.X | 申请日: | 2012-03-13 |
公开(公告)号: | CN104203808B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | V·马图尔;V·内夫埃克尔;R·马修 | 申请(专利权)人: | 德赛诊断印度私人有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司11012 | 代理人: | 黄泽雄,陈悦军 |
地址: | 印度*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 纳米 结构 电极 生物 传感器 | ||
1.一种微流控设备,其包括:
具有至少一个传感器的基底,用于检测样品中所含的至少一种目标分析物,
加入流体路径的垫片;
试剂组件,所述试剂组件包括用于含有至少一种分析物的样品的至少一个入口点、用于储存至少一种试剂的至少一个储存室和用于处理使用过的至少一种试剂的废料室;并且其中所述试剂组件还加入槽,其用于定位附着于垫片的基底;并且
其中垫片的流体路径限定了用于所述样品和用于至少一种所述试剂从所述至少一个储存室到所述至少一个基底的传感器的路径,并且
其中所述试剂组件还加入至少一个隔片,其设置为通过至少一个针刺穿以使压缩空气进入以置换来自试剂组件的至少一种试剂从而便于其流到所述基底的至少一个传感器。
2.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,所述基底由金属涂覆的聚合物基板制成。
3.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,使用激光烧蚀在所述金属涂覆的聚合物基板上形成所述传感器。
4.根据权利要求2所述的微流控设备,其中,通过溅射将金属涂覆于所述聚合物基板上。
5.根据权利要求2所述的微流控设备,其中,所述聚合物基板由选自金、铱或铂的贵金属涂覆。
6.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,所述至少一个传感器包括至少一个工作电极和至少一个参比电极;多个纳米结构,所述多个纳米结构沉积在所述工作电极上,用于增加所述工作电极的表面积,以及识别元件,所述识别元件与所述纳米结构结合或沉积在所述纳米结构上。
7.根据权利要求2所述的微流控设备,其中,使用聚合物制成所述聚合物基板;其中,所述聚合物选自聚酯、聚苯乙烯、聚丙烯酰胺、聚醚氨酯、聚砜、聚碳酸酯、氟化聚合物、选自聚氯乙烯的氯化聚合物、聚乙烯或聚丙烯。
8.根据权利要求6所述的微流控设备,其中,所述工作电极为同心弧、圆、螺旋形或多边形的形式。
9.根据权利要求8所述的微流控设备,其中,所述工作电极的所述同心弧为山-谷型排列。
10.根据权利要求8所述的微流控设备,其中,所述工作电极具有2mm至8mm范围内的直径。
11.根据权利要求6所述的微流控设备,其中,所述纳米结构选自碳纳米管或金纳米颗粒。
12.根据权利要求11所述的微流控设备,其中,所述金纳米颗粒通过电沉积沉积在所述工作电极上。
13.根据权利要求11所述的微流控设备,其中,所述碳纳米管为羧化的。
14.根据权利要求13所述的微流控设备,其中,所述碳纳米管的羧化百分比为3%至5%。
15.根据权利要求6所述的微流控设备,其中,所述识别元件选自抗原、抗体、酶、适体酶或适体。
16.根据权利要求6所述的微流控设备,其中,所述传感器任选地包括对电极。
17.根据权利要求1至权利要求16中的任一项所述的微流控设备,其中,所述基底任选地包括至少一个流体检测传感器和至少一种读取试剂和反应试剂,所述至少一个流体检测传感器形成于所述聚合物基板上,用于检测样品的存在。
18.根据权利要求1所述的微流控设备,还包括至少一个用于将所述试剂从所述储存室分配至所述基底的导管。
19.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,所述基底作为电化学传感器和所述微流控设备的底层。
20.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,所述垫片为双面压敏粘合剂。
21.根据权利要求20所述的微流控设备,其中,将所述垫片被激光切割以限定所述流体路径。
22.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,所述垫片的厚度为100μm至400μm之间,用于所述样品通过所述流体路径的自由流动。
23.根据权利要求22所述的微流控设备,其中,所述垫片的厚度为≥200μm。
24.根据权利要求1所述的微流控设备,其中,所述含有目标分析物的样品选自全血、血清或尿液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的