[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有第1导电型半导体基板、以及在该半导体基板表面形成的第2导电型半导体层的第1区域，并具有包括由上述半导体基板和上述第1区域形成的PN结的电路元件、连接于上述第1区域的输入端子、以及保护上述电路元件免受施加到上述输入端子的静电放电ESD影响的保护元件，其中，

上述保护元件包括通过在上述半导体基板形成上述第2导电型半导体层的第2区域从而使上述第1区域为集电极、使上述半导体基板为基极、使上述第2区域为发射极而形成的晶体管，并通过该发射极与上述半导体基板经由设置在上述半导体基板的连接区域由导电体连接而形成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

设置在上述半导体基板的上述连接区域形成于上述第2区域的与上述第1区域相反的一侧。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

上述第1区域分离地形成为多个，形成有使用了该多个上述第1区域的各个的多个上述电路元件，在由上述多个第1区域所夹的中间部形成有一个上述保护元件的上述第2区域。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第1区域在上述半导体基板表面的外周形状的至少一部分为曲线，与该第1区域邻接形成的上述第2区域的与上述第1区域相向的部分的外周形状是沿着上述第1区域的曲线的曲线。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，

在上述第1区域的下层形成有比该第1区域杂质浓度高的第2导电型区域，上述第2区域的下层是直接与半导体基板接触的构造。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其中，

上述第2导电型半导体层是形成在上述半导体基板上的外延层，上述第1以及第2区域是通过在上述外延层注入第1导电型的杂质使上述外延层分离而形成的区域。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为基极的纵向双极晶体管。

8.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为集电极的纵向双极晶体管。

9.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为发射极的纵向双极晶体管。

10.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为基极的横向双极晶体管。

11.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为集电极的横向双极晶体管。

12.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为发射极的横向双极晶体管。

13.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为栅极的结型场效应晶体管。

14.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为漏极的结型场效应晶体管。

15.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其中，

上述电路元件是使上述第1区域为源极的结型场效应晶体管。