[发明专利]半导体用粘接剂、助熔剂、半导体装置的制造方法以及半导体装置在审

专利信息
申请号: 201280070510.5 申请日: 2012-10-01
公开(公告)号: CN104137240A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 本田一尊;永井朗;佐藤慎 申请(专利权)人: 日立化成株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;B23K35/363;C08L63/00;H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王灵菇;白丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 用粘接剂 熔剂 装置 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种半导体用粘接剂,其含有环氧树脂、固化剂和具有下述式(1)所示的基团的化合物,

式中,R1表示供电子性基团。

2.根据权利要求1所述的半导体用粘接剂,其中,所述化合物为具有2个羧基的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的半导体用粘接剂,其中,所述化合物为下述式(2)所示的化合物,

式中,R1表示供电子性基团、R2表示氢原子或供电子性基团、n表示0~15的整数,多个存在的R2相互可以相同也可以不同。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体用粘接剂,其中,所述化合物为下述式(3)所示的化合物,

式中,R1表示供电子性基团、R2表示氢原子或供电子性基团、m表示0~10的整数。

5.根据权利要求4所述的半导体用粘接剂,其中,m为0~5的整数。

6.根据权利要求4或5所述的半导体用粘接剂,其中,所述式(3)中的R2为氢原子。

7.根据权利要求1~6中任一项所述的半导体用粘接剂,其中,所述化合物的熔点为150℃以下。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的半导体用粘接剂,其中,所述供电子性基团为碳数为1~10的烷基。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的半导体用粘接剂,其中,所述化合物为助熔剂。

10.根据权利要求1~9中任一项所述的半导体用粘接剂,其进一步含有重均分子量为10000以上的高分子成分。

11.根据权利要求1~10中任一项所述的半导体用粘接剂,其形状为膜状。

12.根据权利要求1~11中任一项所述的半导体用粘接剂,其中,所述化合物为甲基琥珀酸、2-甲基戊二酸、2-甲基己二酸、2-甲基庚二酸或2-甲基辛二酸。

13.一种助熔剂,其含有具有下述式(1)所示的基团的化合物,

式中,R1表示供电子性基团。

14.根据权利要求13所述的助熔剂,其中,所述化合物为具有2个羧基的化合物。

15.根据权利要求13或14所述的助熔剂,其中,所述化合物为下述式(2)所示的化合物,

式中,R1表示供电子性基团、R2表示氢原子或供电子性基团、n表示0~15的整数,多个存在的R2相互可以相同也可以不同。

16.根据权利要求13~15中任一项所述的助熔剂,其中,所述化合物为下述式(3)所示的化合物,

式中,R1表示供电子性基团、R2表示氢原子或供电子性基团、m表示0~10的整数。

17.根据权利要求16所述的助熔剂,其中,m为0~5的整数。

18.根据权利要求16或17所述的助熔剂,其中,所述式(3)中的R2为氢原子。

19.根据权利要求13~18中任一项所述的助熔剂,其中,所述供电子性基团为碳数为1~10的烷基。

20.根据权利要求13~19中任一项所述的助熔剂,其中,所述化合物的熔点为150℃以下。

21.根据权利要求13~20中任一项所述的助熔剂,其中,所述化合物为甲基琥珀酸、2-甲基戊二酸、2-甲基己二酸、2-甲基庚二酸或2-甲基辛二酸。

22.根据权利要求13~21中任一项所述的助熔剂,其为与含有环氧树脂和固化剂的半导体用粘接剂配合的助熔剂。

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