[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的特征在于，具有：

半导体元件，其具有在俯视观察时直线地形成的多个栅极、与所述多个栅极绝缘的发射极图案、以及在所述发射极图案上形成的发射极电极，并且形成为主电流经由所述发射极图案流向所述发射极电极；

第1焊点，其形成在所述发射极电极的一部分上；

第2焊点，其与所述第1焊点隔离地形成在所述发射极电极的一部分上；以及

端子，其经由所述第1焊点以及所述第2焊点与所述发射极电极连接，

所述半导体元件具有形成有所述第1焊点的第1焊点区域、形成有所述第2焊点的第2焊点区域、以及所述第1焊点区域和所述第2焊点区域之间的区域即中间区域，

所述第1焊点区域的所述栅极的密度、所述第2焊点区域的所述栅极的密度和所述中间区域的所述栅极的密度相等，

所述半导体元件形成为，所述中间区域的所述主电流的电流密度低于所述第1焊点区域以及所述第2焊点区域的所述主电流的电流密度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

对于俯视观察时的每个单位面积中的所述发射极图案和所述发射极电极的接触面积，与所述第1焊点区域以及所述第2焊点区域相比，所述中间区域中的所述接触面积较小。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述中间区域中的所述发射极图案的杂质密度，低于所述第1焊点区域中的所述发射极图案的杂质密度以及所述第2焊点区域中的所述发射极图案的杂质密度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有基极层，该基极层与所述栅极接触而形成，通过对所述栅极施加电压而导电型反转，

所述中间区域中的所述基极层的杂质密度，高于所述第1焊点区域中的所述基极层的杂质密度以及所述第2焊点区域中的所述基极层的杂质密度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

与所述第1焊点区域、以及所述第2焊点区域的所述主电流的路径相比，所述中间区域的所述主电流的路径的晶格缺陷较多。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间区域的所述主电流的路径的电阻率，高于所述第1焊点区域的所述主电流的路径的电阻率以及所述第2焊点区域的所述主电流的路径的电阻率。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述中间区域的宽度大于或等于所述第1焊点区域或者所述第2焊点区域的宽度的一半。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件是纵型IGBT，在其正面形成有所述发射极电极，在其背面形成有所述集电极电极。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体元件由宽带隙半导体形成。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述宽带隙半导体是碳化硅、氮化镓类材料或者金刚石。