[发明专利]具有导电元件的多层体以及用于生产多层体的方法

权利要求书

1.一种具有数个导电元件(11l，21l，31l，41l，51l，61l，71l，81l，91l，101l)的多层体(1，1’，2，3，4，5，6，7，8，9，10)，所述导电元件通过导电材料提供在至少第一层的第一区域中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度上延伸，

其特征在于，

由于在生产期间采取的与所述第一层的形成和/或不同于所述第一层的层(10r，43，54，65，84，86，84b，97，107)的提供和/或合适的形成有关的措施，从所述导电元件(11l，21l，31l，41l，51l，61l，71l，81l，91l)反射的光的比例小于没有所述措施的情况下从所述导电元件反射的光的比例。

2.一种具有数个导电元件(11l，21l，31l，41l，51l，61l，71l，81l，91l，101l)的多层体(1，1’，2，3，4，5，6，7，8，9，10)，所述导电元件通过导电材料提供在至少第一层的第一区域中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度上延伸，

其特征在于，

具有范围从400nm到800nm的波长的可见光在镜面反射中在所述导电元件处的反射率

(a)小于75％、优选小于50％、特别优选小于25％，和/或

(b)与镜面反射中在所述第一区域以外没有导电材料的第二区域中的多层体的反射率相差至多50％、优选至多20％。

3.如权利要求1或2中的一者所述的多层体(1，1’，2，3)，

其特征在于，

所述第一层(11l，21l，31l)具有平均结构深度的范围从10nm到100μm、优选从20nm到10μm、特别优选从30nm到200nm、进一步特别优选从80nm到120nm的表面起伏结构。

4.如权利要求1到3中的一者所述的多层体(1，1’)，

其特征在于，

所述第一层布置在支撑件(10r)上，所述支撑件在面朝所述第一层的一侧具有第一表面起伏结构，所述第一表面起伏结构具有足够大的结构深度，以使得所述第一层在背向所述支撑件的上侧具有贯穿形成的第二表面起伏结构，所述第二表面起伏结构的结构深度由所述第一表面起伏结构的结构深度确定，其中所述第二表面起伏结构的结构深度至少是所述第一表面起伏结构的结构深度的10％、

5.如权利要求4所述的多层体(1’)，

其特征在于，

所述多层体在所述支撑件上(10r)至少在介于所述导电元件(11l)之间的、不同于所述第一区域的区域中具有漆层(12)，其中所述漆层(12)的折射率与所述支撑件(10r)的折射率相差至多0.2并且优选相差至多0.1。

6.如权利要求4所述的多层体(1，1’)，

其特征在于，

所述支撑件是多层的并且具有基板，其中复制漆层布置在所述基板上并且所述第一表面起伏结构模制到所述复制漆层中。

7.如前述权利要求中的一者所述的多层体(1，1’)，

其特征在于，

所述表面起伏结构或所述第一表面起伏结构至少局部地形成为不光滑结构(110s)、规则结构、特别是光栅(110b)或折射结构。

8.如权利要求1到7中的一者所述的多层体(1，1’，2，3)，

其特征在于，

所述第一层(11l，21l，31l)具有相关长度和/或横向广度的范围在50nm与150μm之间、优选在50nm与5μm之间的表面起伏结构。

9.如权利要求1到8中的一者所述的多层体(1，1’，2，3)，

其特征在于，

所述第一层具有20nm与1μm之间的层厚度。

10.如权利要求1到9中的一者所述的多层体(1，1’)，

其特征在于，

至少局部地模制到所述第一层(11l)中的表面起伏结构通过衍射、散射和/或反射使入射光从镜面反射偏离。

11.如权利要求10所述的多层体(1，1’)，

其特征在于，

所述第一层(11l)中的表面起伏结构至少局部地形成为尤其具有1μm与100μm之间的相关长度的不平滑结构。