[发明专利]减轻同时多状态感测引起的变化有效
申请号: | 201280070357.6 | 申请日: | 2012-11-19 |
公开(公告)号: | CN104126205A | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | E.沙隆 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G06F11/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 万里晴 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减轻 同时 状态 引起 变化 | ||
1.一种用于操作具有包括第一组和第二组的多个非易失性存储元件的非易失性存储器的方法,所述方法包括:
使用第一偏置条件验证第一组非易失性存储元件(2102、2602);
使用第二偏置条件验证第二组非易失性存储元件(2102、2604);
使用第一偏置条件确定第一和第二组中的每一个非易失性存储元件的第一表观阈值电压(2104);
使用第二偏置条件确定第一和第二组中的每一个非易失性存储元件的第二表观阈值电压(2106);以及
使用第一组和第二组中的每一个非易失性存储元件的第一表观阈值电压和第二表观阈值电压确定ECC解码器的初始值(2108)。
2.如权利要求1所述的方法,其中确定ECC解码器的初始值包括:
使用多个非易失性存储元件中的第一非易失性存储元件的第一表观阈值电压和第二表观阈值电压对指标表做出索引(2210);以及
对多个非易失性存储元件中的其他非易失性存储元件重复做出索引。
3.如权利要求2所述的方法,其中确定第一表观阈值电压包括使用第一偏置条件在N-1个读取比较电压电平读取第一组和第二组非易失性存储元件,确定第二表观阈值电压包括使用第二偏置条件在所述N-1个读取比较电压电平读取第一组和第二组非易失性存储元件;指标表包括多个条目,每一个条目与表观阈值电压的一种可能的组合对应。
4.如权利要求1所述的方法,其中确定ECC解码器的初始值包括:
a)基于多个非易失性存储元件中的第一非易失性存储元件的第一表观阈值电压和第二表观阈值电压选择指标表(2502);
b)使用第一非易失性存储元件的第一表观阈值电压或第二表观阈值电压对选择的指标表做出索引(2504);以及
对多个非易失性存储元件中的其他非易失性存储元件重复所述a)和b)。
5.如权利要求1所述的方法,其中确定ECC解码器的初始值包括:
a)基于多个非易失性存储元件中的第一非易失性存储元件的第一表观阈值电压和第二表观阈值电压确定第一非易失性存储元件的校正项;
b)访问与第一非易失性存储元件的校正项对应的指标表,访问的指标表是多个存储的指标表之一,每一个指标表与不同校正项对应(2304);
c)使用第一非易失性存储元件的第一表观阈值电压对访问的指标表做出索引(2306);以及
对多个非易失性存储元件中的其他非易失性存储元件重复所述a)-c)。
6.如权利要求1到5之一所述的方法,其中使用第一偏置条件验证第一组非易失性存储元件包括确定第一组中的非易失性存储元件是否被编程为第一编程状态集合中的适当编程状态,使用第二偏置条件验证第二组非易失性存储元件包括确定第二组中的非易失性存储元件是否被编程为第二编程状态集合中的适当编程状态。
7.如权利要求1到6之一所述的方法,其中使用第一偏置条件读取非易失性存储元件包括使用第一感测时间将多个读取比较电压施加于与多个非易失性存储元件相关联的字线,使用第二偏置条件读取非易失性存储元件包括使用不同于第一感测时间的第二感测时间将多个读取比较电压施加于该字线。
8.如权利要求1到6之一所述的方法,其中使用第一偏置条件读取非易失性存储元件包括将多个读取比较电压施加于与多个非易失性存储元件相关联的字线,同时将第一电压施加于与多个非易失性存储元件相关联的位线,使用第二偏置条件读取非易失性存储元件包括将所述多个读取比较电压施加于该字线,同时将第二电压施加于该位线。
9.如权利要求1到8之一所述的方法,其中多个非易失性存储元件包括第三组,并且进一步包括:
使用第三偏置条件验证第三组非易失性存储元件;以及
使用第三偏置条件确定第一、第二和第三组中的每一个非易失性存储元件的第三表观阈值电压,基于多个非易失性存储元件中的每一个非易失性存储元件的第一表观阈值电压、第二表观阈值电压和第三表观阈值电压确定ECC解码器的初始值。
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