[发明专利]极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层

说明书

技术领域

本发明涉及极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层。更具体而言，本发明涉及可用作精细图案用途的印刷线路板的材料的极薄铜箔及其制备方法以及极薄铜层。

背景技术

近年来，随着半导体电路的高集成化，印刷线路板中也要求精细电路。通常的精细电路形成方法为在极薄铜层上形成布线回路后，用硫酸-过氧化氢类蚀刻剂蚀刻除去极薄铜层的技术(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process(模拟半加成工艺))。因此，优选极薄铜层的厚度均匀。

在这里，电镀的箔厚精度大幅受阳极-阴极间的电极间距离影响。通常的极薄铜层形成方法是在支持铜箔(12~70μm)上形成剥离层，进而在其表面形成极薄铜层(0.5~10.0μm)和粗化粒子。对于形成支持铜箔以后的工序，目前采用如图1的对支持铜箔无转筒支持的曲折送箔方式进行(专利文献1)。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000-309898号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

但是，由于通过电镀形成的极薄铜层的厚度精度大幅受阳极-阴极间的电极间距离影响，所以当采用这样的对支持铜箔无转筒支持的曲折送箔方式时，由于电解液和送箔张力等的影响，难以固定电极间距离，产生厚度的变化增大的问题。

因此，本发明的课题在于，提供提高了支持铜箔上的极薄铜层的厚度精度的极薄铜箔。

解决课题的手段

为达成上述目的，本发明人在反复深入研究时着眼于支持铜箔以后的工序的送箔方式，发现通过非曲折而以转筒为支持介质的送箔方式，可确保一定的电极间距离，提高极薄铜层的厚度精度。

本发明以上述见解为基础完成，在一个侧面，本发明为极薄铜箔，所述铜箔为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔，其中，采用重量厚度法测定的上述极薄铜层的厚度精度为3.0%以下。

在另一个侧面，本发明为极薄铜箔，所述铜箔为具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔，其中，采用四探针法测定的上述极薄铜层的厚度精度为10.0%以下。

在本发明所涉及的极薄铜箔的一个实施方案中，在上述极薄铜层表面具有粗化粒子层。

在又一个侧面，本发明为极薄铜箔的制备方法，所述制备方法为通过处理以辊对辊输送方式在长度方向输送的长条状支持铜箔的表面，制备具备支持铜箔、层压于支持铜箔上的剥离层和层压于剥离层上的极薄铜层的极薄铜箔的方法，包括：在用输送辊输送的支持铜箔的表面形成剥离层的工序，和在用转筒支持用输送辊输送的形成有上述剥离层的支持铜箔的同时通过电镀在上述剥离层表面形成极薄铜层的工序。

对于本发明的极薄铜箔的制备方法，在一个实施方案中，形成上述剥离层的工序通过在用转筒支持用输送辊输送的上述支持铜箔的同时通过电镀在上述支持铜箔表面形成极薄铜层来进行。

对于本发明的极薄铜箔的制备方法，在另一个实施方案中，进一步包括在用输送辊输送的上述支持铜箔的极薄铜层表面形成粗化粒子层的工序。

对于本发明的极薄铜箔的制备方法，在又一个实施方案中，形成上述粗化粒子层的工序通过在用转筒支持用输送辊输送的上述支持铜箔的同时通过电镀在上述极薄铜层表面形成粗化粒子层来进行。

在又一个侧面，本发明为极薄铜层，所述铜层为在层压于支持铜箔上的剥离层上层压、用以与上述支持铜箔和上述剥离层一同构成极薄铜箔的、由电解铜箔形成的极薄铜层，其中，采用重量厚度法测定的厚度精度为3.0%以下。

在又一个侧面，本发明为极薄铜层，所述铜层为在层压于支持铜箔上的剥离层上层压、用以与上述支持铜箔和上述剥离层一同构成极薄铜箔的、由电解铜箔形成的极薄铜层，其中，采用四探针法测定的厚度精度为10.0%以下。

在一个实施方案中，本发明的极薄铜层为在层压于支持铜箔上的剥离层上层压、用以与上述支持铜箔和上述剥离层一同构成极薄铜箔的、由电解铜箔形成的极薄铜层，其中，在表面具有粗化粒子层。

在又一个侧面，本发明为使用本发明的极薄铜箔制备的印刷线路板。

在又一个侧面，本发明为使用本发明的极薄铜层的印刷线路板。

发明的效果

根据本发明，可提供提高了支持铜箔上的极薄铜层的厚度精度的极薄铜箔。

附图说明

[图1] 示出现有的曲折送箔方式的示意图。

[图2] 示出本发明的实施方案1所涉及的极薄铜箔制备方法所涉及的送箔方式的示意图。