[发明专利]含有防凝结和/或低辐射涂层的制品和/或其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘玻璃IG单元，包括：

平行隔离的第一和第二玻璃基板，所述第一和第二基板按顺序提供所述IG单元的第一至第四平行的主要表面，所述第一和第二基板之间定义有间隙，

其中，所述IG单元的第四表面支撑含有多个薄膜层的第一低辐射涂层，从所述第二基板开始按顺序包括：

含有氮氧化硅的第一层，具有1.5-2.1的折射率和50-90nm的厚度；

含有ITO的层，具有1.7-2.1的折射率和85-125nm的厚度；和

含有氮氧化硅的第二层，具有1.5-2.1的折射率和50-90nm的厚度。

2.如权利要求1所述的IG单元，其中，所述含有氮氧化硅的第一和第二层分别具有1.7-1.8的折射率。

3.如上述权利要求中任何一项所述的IG单元，其中，所述含有ITO的层具有1.8-1.93的折射率。

4.如权利要求1所述的IG单元，其中，所述含有氮氧化硅的第一层具有1.7-1.8的折射率。

5.如上述权利要求中任何一项所述的IG单元，其中，所述含有氮氧化硅的第一和第二层彼此的折射率差异≤0.1且厚度的差异≤10nm。

6.如上述权利要求中任何一项所述的IG单元，其中，所述IG单元的第三表面支撑含有多个薄膜层的第二低辐射涂层，从所述第二基板开始按顺序包括：

第一硅基层；

第一介质层；

由第三介质层分裂的第二介质层，从而形成所述第二介质层的第一和第二部分；

金属或含金属的红外线IR反射层，位于所述第二介质层的所述第二部分之上并与其直接接触；

含有镍和/或铬的氧化物的上接触层，直接位于所述IR反射层之上并与其接触；

第四介质层；和

第二硅基层，且

其中，所述第三介质层包含氧化钛或氧化锡。

7.如权利要求6所述的IG单元，其中，所述第一介质层是含有氧化钛或低氧化钛的高折射率层。

8.如权利要求6-7中任何一项所述的IG单元，其中，所述第三和第四介质层包含氧化锡。

9.如权利要求6-8中任何一项所述的IG单元，其中，所述第二介质层包含氧化锌。

10.如权利要求6-9中任何一项所述的IG单元，其中，所述第二层被分裂，其中各部分彼此所具厚度的差异≤5％。

11.如权利要求6-10中任何一项所述的IG单元，其中，所述第一和第二硅基层分别包括氮化硅，所述第一介质层包含氧化钛，且所述第二介质层包含氧化锌，所述第三和第四介质层分别包含氧化锡，且所述红外线反射层包含银。

12.如上述权利要求中任何一项所述的IG单元，其中，所述第二基板经其上的所述第一和/或第二低辐射涂层被热处理。

13.如权利要求6-11中任何一项所述的IG单元，其中，所述第二低辐射涂层的得热系数使所述IG单元的U值≤0.30。

14.一种包括基板的涂层制品，所述基板支撑分别位于其相对主要表面上的第一和第二低辐射涂层，其中，所述第一低辐射涂层，从所述基板开始按顺序包括：

含有氮氧化硅的第一层，具有1.5-2.1的折射率和50-90nm的厚度；

含有ITO的层，具有1.7-2.1的折射率和85-125nm的厚度；和

含有氮氧化硅的第二层，具有1.5-2.1的折射率和50-90nm的厚度，且

所述第二低辐射涂层，从所述基板开始按顺序包括：

第一硅基层；

第一介质层；

由第三介质层分裂的第二介质层，从而形成所述第二介质层的第一和第二部分，所述第三介质层包含氧化钛或氧化锡；

金属或含金属的红外线IR反射层，位于所述第二介质层的所述第二部分之上并与其直接接触；

含有镍和/或铬的氧化物的上接触层，直接位于所述IR反射层之上并与其接触；

第四介质层；和

第二硅基层。