[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池模块，包括：

多个第一太阳能电池，包括依次设置在支撑基板上的第一P型半导体层、第一缓冲层和第一N型半导体层；

多个第二太阳能电池，包括依次设置在支撑基板上的第二N型半导体层、第二缓冲层和第二N型半导体层；以及

连接所述多个第一太阳能电池与所述多个第二太阳能电池的连接电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述多个第一太阳能电池以预定距离彼此隔开，所述多个第二太阳能电池布置在以所述预定距离彼此隔开的所述多个第一太阳能电池之间。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述连接电极包括第一连接电极和与所述第一连接电极相对的第二电极。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池模块，其中，所述第一连接电极布置在所述支撑基板的顶表面上。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池模块，其中，所述第一连接电极连接所述多个第一太阳能电池的所述第一N型半导体层与所述多个第二太阳能电池的所述第二P型半导体层。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池模块，其中，所述第一连接电极与所述第一N型半导体层的一个侧表面和所述第二P型半导体层相对的侧表面直接接触。

7.根据权利要求3所述的太阳能电池模块，其中，所述第二连接电极连接所述多个第一太阳能电池的所述第一P型半导体层与所述多个第二太阳能电池的所述第二N型半导体层。

8.根据权利要求3所述的太阳能电池模块，其中，所述第二连接电极与所述第一P型半导体层的一个侧表面和所述第二N型半导体层相对的侧表面直接接触。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层中的每一个包含I-III-VI族化合物。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池模块，其中，所述I-III-VI族化合物包括CISS(Cu(IN)(Se,S)2)化合物或CIGSS(Cu(IN,Ga)(Se,S)2)化合物。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中的每一个包含CdS。

12.根据权利要求1所述的太阳能电池模块，其中，所述第一N型半导体层和所述第二N型半导体层中的每一个包括掺杂硼的氧化锌(ZnO；B,BZO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)或掺杂镓的氧化锌(GZO)。

13.一种太阳能电池模块的制造方法，所述方法包括：

在第一基板上以预定距离形成彼此隔开的多个第一太阳能电池；

在第二基板上以预定距离形成彼此隔开的多个第二太阳能电池；

用形成连接电极的材料分别涂覆所述多个第一太阳能电池的一个侧表面和所述多个第二太阳能电池相对的侧表面；

在以所述预定距离彼此隔开的所述多个第一太阳能电池之间插设所述多个第二太阳能电池；以及

烘烤形成连接电极的材料以形成连接电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述多个第一太阳能电池包括：

在所述第一支撑基板上依次形成第一P型半导体层、第一缓冲层和第一N型半导体层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述第一P型半导体层的一个侧表面涂覆所述形成连接电极的材料。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述多个第二太阳能电池包括：

在所述第二支撑基板上依次形成第二P型半导体层、第二缓冲层和第二N型半导体层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述第二P型半导体层的一个侧表面涂覆所述形成连接电极的材料。