[发明专利]具有多个非易失性半导体存储单元的存储装置及其用于在具有较高残留寿命长度的存储单元中放置热数据而在具有较低残留寿命长度的存储单元中放置冷数据的控制方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

被提供有存储器控制器的多个非易失性半导体存储单元；以及

存储控制器，所述存储控制器是耦合到所述多个半导体存储单元的控制器，

其中所述半导体存储单元中的每个半导体存储单元由至少一个非易失性半导体存储介质构成、并且是逻辑存储区域的基础，

所述存储控制器向半导体存储单元写入数据，所述半导体存储单元是多个逻辑存储区域中的写入目的地的逻辑存储区域的基础，

所述存储控制器例如规律地或者不规律地从所述半导体存储介质中的每个半导体存储介质获取内部信息、并且存储所获取到的针对各个半导体存储介质的所述内部信息，

所述存储控制器针对每个半导体存储介质存储统计信息、并且存储剩余寿命长度信息，所述统计信息指示与对每个逻辑存储区域的写入有关的统计结果，所述剩余寿命长度信息是与所述半导体存储介质中的每个半导体存储介质的剩余寿命长度有关的信息，

(A)所述存储控制器基于所获取到的所述剩余寿命长度信息，来标识第一半导体存储单元和被提供有比所述第一半导体存储单元的剩余寿命长度短的剩余寿命长度的第二半导体存储单元，

(B)所述存储控制器另外基于指示与对每个逻辑存储区域的写入有关的所述统计结果的所述统计信息，来标识用于所述第一半导体存储单元的第一逻辑存储区域和用于所述第二半导体存储单元的、被提供有比所述第一逻辑存储区域的写入负荷高的写入负荷的第二逻辑存储区域，并且

(C)所述存储控制器从第一逻辑存储区域组和所述第二逻辑存储区域读取数据、向所述第二逻辑存储区域写入从所述第一逻辑存储区域读取到的数据、并且/或者向所述第一逻辑存储区域写入从所述第二逻辑存储区域读取到的数据。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中：

用于每个半导体存储介质的所述内部信息包括与所述半导体存储介质的剩余寿命长度有关的数值作为所述剩余寿命长度信息，并且是具有比被包括在所述半导体存储介质中的存储区域的最小单位大的单位的信息，并且

所述存储控制器针对所述半导体存储介质中的每个半导体存储介质，基于在第一时间点获取到的所述内部信息中的所述数值和在早于所述第一时间点的第二时间点获取到的所述内部信息中的所述数值，来预测所述半导体存储介质的剩余寿命长度。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中：

基于所述半导体存储介质的逻辑存储区域的写入负荷是与写入数量相符的负荷，所述写入数量是已经向作为写入目的地的所述逻辑存储区域传输的数据的总数量。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中：

所述逻辑存储区域的写入负荷是基于所述写入数量和预测的写入增加-减少速率的负荷，所述预测的写入增加-减少速率是由所述存储控制器基于所述统计信息而获得的，并且

所述逻辑存储区域的所述预测的写入增加-减少速率是基于与向所述逻辑存储区域的写入有关的所述统计结果而被获得的。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中：

与向所述逻辑存储区域的写入有关的所述统计结果表示与向所述逻辑存储区域的写入相符的数据的平均大小和/或向所述逻辑存储区域的写入的写入目的地是依次的还是随机的。

6.根据权利要求2所述的存储装置，其中：

多个RAID组由所述多个半导体存储介质形成，

所述半导体存储单元是RAID组，

针对每个RAID组形成至少两个逻辑存储区域组，

所述逻辑存储区域组是与配置所述RAID组的至少两个半导体存储介质对应的至少两个逻辑存储区域的集合，

在所述(A)中，第一RAID组和被提供有比所述第一RAID组的剩余寿命长度短的剩余寿命长度的第二RAID组是基于每个半导体存储介质的剩余寿命长度而被标识的，

所述第一RAID组和所述第二RAID组是所述第一半导体存储单元和所述第二半导体存储单元，并且

在所述(B)中，所述第一逻辑存储区域组是基于所述第一RAID组的逻辑存储区域组，并且所述第二逻辑存储区域组是基于所述第二RAID组的逻辑存储区域组。