[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，

具备第1电极、III-V族化合物半导体的半导体部、以及第2电极，

所述半导体部设置于第1电极和第2电极之间，

所述半导体部具有活性层和光子晶体层，

所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第1电极之间，或者被设置于所述活性层和所述第2电极之间，

所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间彼此导电类型不同，

所述第1电极具有开口部，

在所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第1电极之间的情况下，所述第1电极、所述光子晶体层、所述活性层和所述第2电极沿着基准轴层叠，在所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第2电极之间的情况下，所述第1电极、所述活性层、所述光子晶体层和所述第2电极沿着所述基准轴层叠，

所述基准轴通过从该基准轴的轴线方向看到的所述开口部的中央部，

所述第2电极具有从所述基准轴的轴线方向看位于第1方向上的第1端部、和位于作为所述第1方向的相反方向的第2方向上的第2端部，所述第1方向是与所述基准轴的轴线方向正交的方向，

所述开口部具有从所述基准轴的轴线方向看位于所述第1方向上的第3端部、和位于所述第2方向上的第4端部，

所述第2电极的所述第1端部和所述开口部的所述第3端部从所述基准轴的轴线方向看一致，所述第2电极的所述第2端部和所述开口部的所述第4端部从所述基准轴的轴线方向看一致。

2.一种半导体发光元件，其特征在于，

具备第1电极、III-V族化合物半导体的半导体部、以及第2电极，

所述半导体部被设置于第1电极和第2电极之间，

所述半导体部具有活性层和光子晶体层，

所述光子晶体层被设置于所述活性层和所述第1电极之间，或者被设置于所述活性层和所述第2电极之间，

所述活性层和所述第1电极之间、以及、所述活性层和所述第2电极之间彼此导电类型不同，

所述第1电极具有开口部，

从所述活性层和所述光子晶体层输出而到达所述开口部的光的强度的最小值，不小于从所述活性层和所述光子晶体层输出而到达所述开口部的光的强度的最大值的A％，其中，10≤A≤30。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

所述第1电极所具有的光的透过强度随着远离所述开口部的外周而减少。

4.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

具有DBR层，

所述DBR层被设置于所述第1电极和所述光子晶体层之间，或者被设置于所述第2电极和所述光子晶体层之间。

5.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，

具有DBR层，

所述DBR层被设置于所述第1电极和所述光子晶体层之间，或者被设置于所述第2电极和所述光子晶体层之间。

6.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

具有第一DBR层和第二DBR层，

所述第一DBR层被设置于所述第1电极和所述光子晶体层之间，

所述第二DBR层被设置于所述第2电极和所述光子晶体层之间。

7.如权利要求3所述的半导体发光元件，其特征在于，

具有第一DBR层和第二DBR层，

所述第一DBR层被设置于所述第1电极和所述光子晶体层之间，

所述第二DBR层被设置于所述第2电极和所述光子晶体层之间。