[发明专利]防止混合存储器模块被映射

说明书

背景技术

存储指令或数据的任何设备需要存储器，并且具有两种广泛类型的存储器：易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器在其失去电力或电力未被周期性地得到补充时丢失其存储的数据。然而，非易失性存储器在没有连续或周期性电力供应的情形下保留信息。

随机访问存储器（“RAM”）是一种类型的易失性存储器。只要RAM的期望单元的地址是已知的，RAM可以被采用任何次序访问。动态随机访问存储器（“DRAM”）是一种类型的RAM。电容器被用于把存储器比特存储在DRAM中，并且电容器可以被周期性地补充电力以维持高电子状态。因为DRAM电路是小的且廉价的，所以其可以被用作用于计算机系统的存储器。

闪存是一种类型的非易失性存储器，并且闪存可以采用块或页面的方式被访问。例如，闪存的页面可以在一个操作或一个“闪烁”中被擦除。对闪存的访问与对DRAM的访问相比较是相对慢的。如此，闪存可以被用作用于计算机系统的长期或持续的存储器。

附图说明

为了详细描述各种示例，对附图的参考现在将被做出，其中：

图1图示了依据至少一些示例的防止混合存储器模块被映射的系统；

图2图示了依据至少一些示例的防止混合存储器模块被映射的方法；以及

图3图示了依据至少一些示例的防止混合存储器模块被映射的方法。

具体实施方式

非预期的电力故障可以导致在易失性存储器中存储但没有在非易失性存储器中存储的重要数据的丢失。如此，包含易失性存储器和非易失性存储器的混合存储设备（其中非易失性存储器充当易失性存储器的备份）将缓解由于非预期的电力故障引起的丢失。然而，当电力恢复时，应注意：如果所述存储设备是正常情况下须经历初始化过程的存储设备（诸如，双列直插式存储器模块（“DIMM”）），则不要让非易失性存储器与易失性存储器一起被初始化。否则，初始化过程将在数据可以从非易失性存储器被恢复之前盖写非易失性存储器上的数据。防止这种数据盖写的一种方式是防止非易失性存储器被映射到用于初始化存储器的存储器映射。如果非易失性存储器未被映射，则其将被从初始化过程中排除，并且其数据将不被盖写。如此，数据可以在电力故障之后被恢复。

图1图示了包括混合存储器模块104的系统100，所述混合存储器模块104包括易失性存储器106和非易失性存储器108。图1的系统100依据至少一些示例防止混合存储器模块104被映射。系统100还可以包括处理器102，其可以被称为中央处理单元（“CPU”）。处理器102可以被实现为一个或多个CPU芯片，并且可以执行指令、代码和计算机程序。

处理器102可以被耦合到混合存储器模块104，并且所述混合存储器模块104可以包括动态随机访问存储器（“DRAM”）和闪存。DRAM可以是易失性存储器106，因为数据的每个比特可以被存储在电容器内，所述电容器被周期性地供电以保留所述比特。使用一个或多个晶体管存储比特的闪存可以是非易失性存储器108。在各种示例中，其它类型的易失性存储器和非易失性存储器被使用。

混合存储器模块104可以被耦合到存储器控制器110，其可以包括通过调度对存储器的读取和写入来管理数据流的电路逻辑。存储器控制器110可以包括用于把一组存储器地址映射到另一组存储器地址并且记录旧的和新的数据的位置的存储器映射112。存储器映射112可以包括数据结构，诸如，数组、链接列表、表格或数据库。在至少一个示例中，存储器控制器110可以被与处理器102集成。

在至少一个示例中，混合存储器模块104可以包括DIMM。如此，易失性和非易失性存储器二者可以在相同的DIMM上被提供，并且由相同的存储器控制器110控制。在至少一个示例中，总的DIMM存储器的一半可以被实现为易失性存储器106，以及一半可以被实现为非易失性存储器108。在各种其它示例中，易失性存储器106与非易失性存储器108的比可以是除了相等之外的量。混合DIMM可以在没有来自适配硬件的协助的情形下适应电子设备的DIMM插槽。