[发明专利]低弯曲损耗光纤

权利要求书

1.一种单模光纤，包括：

中芯区，具有外半径r₁和相对折射率Δ₁；

包层区，包括(i)第一内包层区，与所述中芯区直接相邻，并且具有外半径r₂>6微米、和相对折射率Δ₂且0.3≤r₁/r₂≤0.85；(ii)和第二内包层区，具有外半径r₃>9微米且包括最小相对折射率德尔塔Δ_3,最小，其中第二内包层区的体积的绝对值V₃为35％Δμm²≤V₃≤105％Δμm²，其中Δ_(2-3)(r)是Δ₂与Δ₃之差，并且其中所述第二内包层区具有相对折射率德尔塔随着半径增加变得更负的至少一个区，并且1.5≥β≥0.25，其中参数且其中是所述第二内包层区中的平均折射率斜率，并且其中50≥α_t,其中α_t是沟槽阿尔法参数；和(iii)外包层区，围绕内包层区且包括相对折射率Δ₄，其中Δ₁>Δ₂>Δ₃,Δ₃<Δ₄，且0.25≤│Δ₄-Δ₃│≤0.7。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₃和Δ₂之间的绝对差异大于0.03，所述光纤表现出小于或等于1260nm的22m光缆截止，且具有零色散波长λo且1300nm≤λo≤1324nm。

3.如权利要求2所述的光纤，其特征在于，0.35≤│Δ₄-Δ₃│≤0.7。

4.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，所述第一内包层区没有氟和氧化锗。

5.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，对于从r₃延伸到至少30微米的半径的长度，Δ₄>Δ₂。

6.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，0.33≤r₁/r₂。

7.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，在所述第二内包层区的外半径和30um径向距离之间计算出的所述外包层区的分布体积V₄，等于：

其中Δ_(4-3)(r)是Δ₄与Δ₃之差，且|V₄|为至少5％Δμm²。

8.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在20mm直径心轴上时表现出小于0.75dB/匝的弯曲损耗且表现出6.6到7.5之间的MAC数。

9.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，所述第二内包层区的宽度r₃–r₂在3到20微米之间。

10.如权利要求8所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在15mm半径心轴上时表现出小于1dB/匝的弯曲损耗。

11.如权利要求1-3中任一项所述的光纤，其特征在于，所述第二内包层区包含小于0.02wt％的氟。

12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述中芯区包括实质掺杂氧化锗的氧化硅。