[发明专利]透明导电膜的制造方法在审
| 申请号： | 201280068061.0 | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104081473A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 拝师基希;山本佑辅;梨木智刚;佐佐和明 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B32B9/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电 制造 方法 | ||
1.一种透明导电膜的制造方法，其是具备膜基材、和形成于所述膜基材上的结晶化的氧化铟锡层的透明导电膜的制造方法，
该方法包括：
在使用氧化铟锡作为靶材的溅射装置内放入所述膜基材，通过所述靶材上的水平方向磁场为50mT以上的磁控溅射法，使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积在所述膜基材上的工序；以及
在所述将包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序之后，对所述包含非晶质部分的氧化铟锡进行加热处理，由此使包含所述非晶质部分的所述氧化铟锡结晶化，形成所述结晶化的氧化铟锡层的工序。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜的制造方法，其中，
所述使包含非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序在低于大气压的气压下实施，
所述形成结晶化的氧化铟锡层的工序在大气压下实施。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述水平方向磁场为80mT～200mT。
4.根据权利要求1或2所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述水平方向磁场为100mT～200mT。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，使包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序在40℃～200℃的温度下实施。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，使包含所述非晶质部分的氧化铟锡堆积的工序在40℃～150℃的温度下实施。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述形成结晶化的氧化铟锡层的工序在120℃～200℃的温度下实施。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述膜基材由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚环烯烃或聚碳酸酯中的任一种制成。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述膜基材在所述氧化铟锡的堆积侧表面具备易粘接层。
10.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述膜基材在所述氧化铟锡的堆积侧表面具备折射率调整层。
11.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述膜基材在所述氧化铟锡的堆积侧表面具备硬涂层。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述结晶化的氧化铟锡层的厚度为175nm～250nm。
13.根据权利要求1～12中任一项所述的透明导电膜的制造方法，其中，所述膜基材的厚度为15μm～50μm。
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