[发明专利]图案形成方法、感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种图案形成方法，包括：

(一)使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物而形成膜，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有：

树脂(A)，包含具有由于酸的作用分解而生成极性基的基的重复单元、以及具有芳香族基的重复单元，

化合物(B)，通过照射光化射线或放射线而产生酸，及

溶剂(C)；

(二)对所述膜进行曝光；以及

(三)使用包含有机溶剂的显影液对曝光后的所述膜进行显影而形成负型图案；

其中所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物包含具有萘环、联苯环、蒽环、芴酮环、蒽酮环、呫吨酮环、噻吨酮环、乙烯基苯结构或二苯砜结构的化合物(D)，其中相对于所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的所有固体成分，所述具有萘环、联苯环、蒽环、芴酮环、蒽酮环、呫吨酮环、噻吨酮环、乙烯基苯结构或二苯砜结构的化合物(D)的含量为0.1质量％～6.0质量％。

2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中所述具有由于酸的作用分解而生成极性基的基的重复单元是下述通式(I)所表示的重复单元，

所述通式(I)中，

R₀表示氢原子或烷基；

R₁～R₃分别独立地表示烷基或环烷基；

R₁～R₃的2个也可键结而形成单环或多环的环烷基。

3.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中所述具有芳香族基的重复单元是下述通式(II)所表示的重复单元，

所述通式(II)中，

R₀₁表示氢原子或烷基；

X表示单键或2价连结基；

Ar表示芳香族基；

R₄表示单键或亚烷基。

4.根据权利要求2所述的图案形成方法，其中所述具有芳香族基的重复单元是下述通式(II)所表示的重复单元，

所述通式(II)中，

R₀₁表示氢原子或烷基；

X表示单键或2价连结基；

Ar表示芳香族基；

R₄表示单键或亚烷基。

5.根据权利要求3所述的图案形成方法，其中在所述通式(II)中，X为-COO-或-CONH-。

6.根据权利要求4所述的图案形成方法，其中在所述通式(II)中，X为-COO-或-CONH-。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中相对于所述树脂(A)中的所有重复单元，下述通式(III)所表示的重复单元的含量为20mol％以下，

所述通式(III)中，

Xa表示氢原子或烷基；

Rx表示氢原子或由于酸的作用分解而脱离的基。

8.根据权利要求7所述的图案形成方法，其中所述树脂(A)并不含有所述通式(III)所表示的重复单元。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中相对于所述树脂(A)中的所有重复单元，所述具有由于酸的作用分解而生成极性基的基的重复单元的含量为35mol％以上。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中所述(二)中的曝光是利用KrF准分子激光的曝光。

11.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中所述显影液是含有选自由酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂及醚系溶剂所构成的群组的至少1种有机溶剂的显影液。

12.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中在所述显影液中的有机溶剂的含量为90质量％～100质量％。

13.根据权利要求1至6中任一项所述的图案形成方法，其中所述使用感光化射线性或感放射线性树脂组合物而形成的膜形成于未涂布抗反射膜的基板上。

14.根据权利要求13所述的图案形成方法，其中所述未涂布抗反射膜的基板是不均匀基板。