[发明专利]单晶制造装置所使用的籽晶保持轴以及单晶制造方法有效
| 申请号： | 201280067542.X | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104066874B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 加渡干尚;楠一彦 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘航,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 装置 使用 籽晶 保持 以及 方法 | ||
1.一种籽晶保持轴，是采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，
所述籽晶保持轴的侧面的至少一部分由反射部件覆盖着，所述反射部件具有比所述籽晶保持轴的反射率大的反射率，
所述反射部件被配置成在所述反射部件和保持于所述籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。
2.根据权利要求1所述的籽晶保持轴，所述籽晶保持轴的侧面的50％以上由所述反射部件覆盖着。
3.根据权利要求1或2所述的籽晶保持轴，所述反射部件的反射率为0.4以上。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的籽晶保持轴，所述反射部件为碳片。
5.根据权利要求4所述的籽晶保持轴，所述碳片的平均厚度为0.05mm以上。
6.根据权利要求1～5的任一项所述的籽晶保持轴，所述籽晶保持轴由石墨构成。
7.一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，该方法是使被籽晶保持轴保持的SiC籽晶接触Si-C熔液，以所述籽晶为基点使SiC单晶生长，所述Si-C熔液由配置在坩埚的周围的加热装置加热使得在所述坩埚中具有从内部向表面温度降低的温度梯度，
所述籽晶保持轴的侧面的至少一部分由反射部件覆盖着，所述反射部件具有比所述籽晶保持轴的反射率大的反射率，
所述反射部件以在所述反射部件和所述籽晶之间空开间隔的方式配置着。
8.根据权利要求7所述的制造方法，所述籽晶保持轴的侧面的50％以上由所述反射部件覆盖着。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法，所述反射部件的反射率为0.4以上。
10.根据权利要求7～9的任一项所述的制造方法，所述反射部件为碳片。
11.根据权利要求10所述的制造方法，所述碳片的平均厚度为0.05mm以上。
12.根据权利要求7～11的任一项所述的制造方法，所述籽晶保持轴由石墨构成。
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