[发明专利]Co-Cr-Pt 系溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于形成垂直磁记录方式HDD(硬盘驱动器)中的磁记录介质的颗粒膜的溅射靶，特别是涉及微细分散有氧化物的Co-Cr-Pt系溅射靶。

背景技术

在以硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作为磁记录介质中的磁性薄膜的材料，一直使用基于强磁性金属Co、Fe或Ni的材料。

近年来对于采用已实用化的垂直磁记录方式的硬盘驱动器的磁性薄膜而言，经常使用包含以Co作为主要成分的Co-Cr-Pt系强磁性合金和非磁性的无机物颗粒的复合材料。并且，从生产率的高低考虑，上述磁性薄膜多数情况下通过利用DC磁控溅射装置对以上述材料为成分的烧结体溅射靶进行溅射来制作。

另一方面，使用溅射装置进行溅射时，存在产生粉粒的问题。已知形成颗粒膜时所产生的粉粒的大部分是由靶组织中的氧化物引起的。近年来，硬盘驱动器随着记录密度的提高其磁头的浮动高度(浮上量)减小，因此磁记录介质中所允许的粉粒的尺寸和个数受到越来越严格的限制。

关于颗粒膜形成用溅射靶及其制造方法已知各种技术(专利文献1～4等)。例如，在专利文献1中公开了如下方法：利用球磨机等将原料粉末混合、粉碎时，预先将原料粉末的一部分混合、烧结、粉碎，将由此得到的一次烧结体粉末混合，由此抑制氧化物颗粒的凝聚，使靶组织细化，并且减少粉粒的产生。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-208169号公报

专利文献2：日本特开2011-174174号公报

专利文献3：日本特开2011-175725号公报

专利文献4：日本特愿2011-536231

发明内容

发明所要解决的问题

通常，在制造用于形成颗粒膜的溅射靶时，非磁性氧化物有时会发生凝聚，以该凝聚后的氧化物为起点，溅射时有时会产生粉粒。在上述的现有技术中，为了抑制这样的粉粒产生，进行使溅射靶中的氧化物分散在母相合金中。

但是，使用Ti(钛)氧化物作为非磁性氧化物时，除了氧化物的凝聚以外，有时Ti氧化物与金属Cr(铬)在烧结中发生反应，从而形成粗大的复合氧化物颗粒，其成为粉粒产生的原因。

鉴于这样的问题，本发明的课题在于提供抑制这样粗大的复合氧化物颗粒的形成、溅射时粉粒产生少的颗粒膜形成用溅射靶。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，本发明人进行了深入研究，结果发现通过限制金属Cr与Ti氧化物的接触，能够抑制粗大的复合氧化物颗粒的形成。并且发现，如此制造成的溅射靶由于氧化物微细分散在母相合金中，因而能够减少粉粒产生，能够提高成膜时的成品率。

基于这样的发现，本发明提供：

1)一种溅射靶，含有0.5～45摩尔％Cr、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Cr或Co-Cr中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，上述非Cr系区域散布在上述Cr系区域中；

2)一种溅射靶，含有0.5～30摩尔％Cr、0.5～30摩尔％Pt、余量为Co作为金属成分，并含有包含Ti氧化物的2种以上氧化物作为非金属成分，其特征在于，其组织包含在Co或Co-Pt中分散有至少包含Ti氧化物的氧化物的区域(非Cr系区域)和在Co-Cr、Cr-Pt、Co-Cr-Pt的任意一种以上的相中分散有Ti氧化物以外的氧化物的区域(Cr系区域)，上述非Cr系区域散布在上述Cr系区域中；

3)如上述1或2所述的溅射靶，其特征在于，上述2种以上氧化物(除Ti氧化物以外)为包含选自B、Mg、Al、Si、Cr、Zr、Nb、Ta中的1种以上元素的氧化物；

4)如上述1～3中任一项所述的溅射靶，其特征在于，溅射靶中的氧化物以体积比率计为20％以上且小于50％；

5)如上述1～4中任一项所述的溅射靶，其特征在于，还含有选自B、Cu、Mo、Ru、Ta、W中的1种以上元素作为金属成分；