[发明专利]涂覆技术改进

权利要求书

1.一种水性铂电镀浴，其包含：

a)铂离子源；和

b)硼酸根离子源。

2.根据权利要求1所述的电镀浴，其中铂离子源是至少一种铂镀盐或络合物。

3.根据权利要求2所述的电镀浴，其中铂镀盐或络合物选自由二硝二氨合铂(II)、正磷酸氢四氨合铂(II)、碳酸氢四氨合铂(II)、氢氧化四氨合铂(II)、硫酸四氨合铂(II)和硝酸四氨合铂(II)构成的组。

4.根据权利要求2所述的电镀浴，其中铂镀盐或络合物选自由六羟基铂酸(IV)碱金属盐、四硝基铂酸(IV)碱金属盐、六氯铂酸(IV)氢碱金属盐、二硝基硫酸铂酸(II)氢碱金属盐、卤化四氨合铂(II)和四卤代铂酸(II)碱金属盐构成的组。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其中硼酸根离子源是任选地与至少一种硼酸盐相结合的含硼的酸。

6.根据权利要求5所述的电镀浴，其中含硼的酸选自由硼酸、四硼酸和焦硼酸构成的组。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的电镀浴，其中硼酸根离子源是任选地与至少一种其他硼酸盐相结合的偏硼酸盐。

8.根据权利要求5或7所述的电镀浴，其中硼酸盐选自由碱金属偏硼酸盐、碱金属四硼酸盐、碱金属二硼酸盐、碱金属五硼酸盐、碱土金属偏硼酸盐、碱土金属四硼酸盐、碱土金属二硼酸盐和碱土金属五硼酸盐构成的组。

9.根据权利要求1所述的电镀浴，其中铂离子源和硼酸根离子源是硼酸铂盐或络合物。

10.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其中铂离子浓度为约0.1至约30g/升。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其中硼酸根离子浓度为约0.1至约90g/升。

12.根据前述权利要求中任一项所述的电镀浴，其进一步包含至少一种整平剂。

13.根据权利要求12所述的电镀浴，其中整平剂包含至少一个不饱和碳-碳或不饱和碳-杂原子键。

14.根据权利要求12或13所述的电镀浴，其中整平剂选自由以下至少一种构成的组：

a)取代的或未取代的糖精或其盐；

b)取代的或未取代的苯并吡喃酮；

c)取代的或未取代的苯甲醛或其衍生物；

d)取代的或未取代的除了乙烯之外的烯烃；

e)取代的或未取代的除了乙炔之外的炔烃；

f)取代的或未取代的烷基腈；

g)取代的或未取代的吡啶或其加成盐；

h)取代的或未取代的三唑；和

i)取代的或未取代的吡啶盐。

15.根据权利要求12-14中任一项所述的电镀浴，其中整平剂是式(1)的化合物或其盐：

其中m为0、1、2、3或4；

各R₁独立地为未取代的C₁-C₁₀烷基；

R₂选自由H、未取代的C₁-C₁₀烷基、碱金属离子和碱土金属离子构成的组。

16.根据权利要求12-14中任一项所述的电镀浴，其中整平剂是式(2a)、(2b)或(2c)的化合物：

其中n为0、1、2、3或4；

p为0、1或2；

R₁₀和R₁₁各自独立地选自未取代的C₁-C₁₀烷基。