[发明专利]SRAM存储卡以及电压监视电路

说明书

技术领域

本发明涉及SRAM存储卡以及电压监视电路。

背景技术

由电池后备支持(backup)的SRAM(Static Random Access Memory)存储卡可拆卸地安装于PLC(Programmable Logic Controller)等装置。如果SRAM存储卡在安装于装置时从装置接收数据，则将接收的数据作为备份用而保持。在该SRAM存储卡中，如果电池的电压比某电平低，则SRAM等的电路就无法保持数据，存在数据消失的可能性。为了防止上述情况发生，由电池后备支持的SRAM存储卡形成为，如果由电池电压检测电路检测出电池电压的下降，则将ON值的警报信号输出至装置，从装置侧进行提示用户更换电池的告知。如果该SRAM存储卡振动，则有时会瞬间地产生电池接触不良，电池电压检测电路错误地检测出电池电压的下降，误输出ON值的警报信号。为了防止该瞬间性的警报信号的误输出，在由电池后备支持的SRAM存储卡中，与电池并联地设置防振电路，在发生振颤(chattering)时，防振电路代替电池而将电压供给至SRAM等的电路。

另一方面，在专利文献1中记载有如下技术，即，在防振电路中，如果在外部开关接通时，对电容器的电压和电阻所分压的电压进行比较的比较器的输出反转，则基极与比较器的输出连接的NPN晶体管接通，通过电流反射镜将其发射极电流供给至与电容器的两端连接的NPN晶体管的基极。由此，根据专利文献1，由于快速地将电容器放电，因此能够防止在电容器的阈值附近发生振颤。

在专利文献2中记载有如下技术，即，在除振电路中，如果在对开关进行接通操作后，具有迟滞特性的逆变器的输入节点的电位从高电位下降至作为中间电位的第2电平，则逆变器的输出从低电位反转为高电位，晶体管进行接通动作，将与逆变器的输入节点连接的电容器快速放电，其中，该晶体管的基极与逆变器的输出侧连接，集电极与逆变器的输入节点连接，发射极与接地电位连接。另外，如果在对开关进行断开操作后，逆变器的输入节点的电位从低电位上升至作为中间电位的第1电平，则逆变器的输出从高电位反转为低电位，晶体管进行接通动作，将与逆变器的输入节点连接的电容器快速充电，其中，该晶体管的基极与逆变器的输出侧连接，集电极与逆变器的输入节点连接，发射极与电源电位连接。由此，根据专利文献2，由于将电容器快速充电/放电，因此，即使在振颤现象长时间持续的情况下，也不会使电容器成为满充电，能够可靠地去除振颤信号。

在专利文献3中记载有如下技术，即，在小型电子设备的电源电路中，将电池脱落信号、接通/断开信号以及电压检测器的输出信号的逻辑积输入至晶体管的基极，其中，该电池脱落信号是如果电池从电源安装部脱落则变为“H”电平的信号，该接通/断开信号是与电源开关的接通状态对应而变为“H”电平的信号，该电压检测器的输出信号是在Vcc端子的电压供给电平达到CPU的可动作电压的状态下变为“H”电平的信号，该晶体管的集电极与Vcc端子连接，发射极与GND端子连接。由此，根据专利文献3，在电池从电源安装部脱落的情况下，由于设备电路内的电容器中的积蓄电荷从Vcc端子向GND端子进行放电，因此，不会由于电容器的积蓄电荷而使得CPU误动作，能够事先预防存储器损坏等问题的发生。

专利文献1：日本特开平4–145715号公报

专利文献2：日本实开平5–46122号公报

专利文献3：日本实开平4–86052号公报

发明内容

专利文献1及专利文献2所记载的技术，不存在与电池相关的任何记载，不存在与电池的安装状态的误检测相关的任何记载，也不存在与如何降低电池的消耗电力相关的任何记载。即使假设专利文献1所记载的恒电流源及专利文献2所记载的直流电源是电池，但在专利文献1及专利文献2所记载的技术中，以始终进行电容器的充电/放电为前提，难于抑制来自电容器的每单位时间的放电量，难于降低电池的消耗电力。

另外，对于专利文献3所记载的技术，由于以能够正确地检测出电池是否安装在电源安装部为前提，因此不存在与电池的安装状态的误检测相关的任何记载。另外，对于专利文献3所记载的技术，由于是与减少当电池从电源安装部脱落时的CPU的误动作相关的技术，因此几乎不存在关于电池被安装后的状态的记载，由此，也不存在与如何降低电池的消耗电力相关的任何记载。

本发明就是鉴于上述情况而提出的，其目的在于获得一种SRAM存储卡以及电压监视电路，能够减少对电池未安装时的电池的安装状态的误检测，能够降低电池安装时的电池的消耗电力。