[发明专利]用于制备CHA型结构的沸石材料的无有机模板合成法

权利要求书

1.一种用于制备具有包含YO₂、X₂O₃且不包含Z₂O₅的CHA型骨架结构的沸石材料的无有机模板合成法，其中该CHA型骨架结构的YO₂:X₂O₃摩尔比为9.3-17，其中所述方法包括如下步骤：

(1)提供包含一种或多种YO₂源、一种或多种X₂O₃源和具有CHA骨架结构的籽晶的混合物，其中所述籽晶的CHA骨架结构包含YO₂、X₂O₃且不包含Z₂O₅，其中前述混合物的YO₂:X₂O₃摩尔比为25-45；和

(2)使步骤(1)中获得的混合物结晶；

其中Y为四价元素，X为三价元素，且Z为五价元素，且

其中所述籽晶的YO₂:X₂O₃摩尔比为5或大于5。

2.根据权利要求1的方法，其中所制备沸石材料的CHA型骨架结构的YO₂:X₂O₃摩尔比为9.5-15。

3.根据权利要求1的方法，其中步骤(1)中所提供的混合物的YO₂:X₂O₃摩尔比为25-42。

4.根据权利要求2的方法，其中步骤(1)中所提供的混合物的YO₂:X₂O₃摩尔比为25-42。

5.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中步骤(1)中所提供的混合物包含一种或多种碱金属M。

6.根据权利要求5的方法，其中步骤(1)的混合物中的M₂O:YO₂摩尔比为0.01-5。

7.根据权利要求6的方法，其中步骤(1)的混合物中的M₂O:YO₂摩尔比为0.25-0.35。

8.根据权利要求5的方法，其中步骤(1)的混合物中的YO₂:X₂O₃:M₂O摩尔比为(25-42):1:(5-14)。

9.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中步骤(1)中所提供的混合物不含K和/或Sr。

10.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中具有CHA骨架结构的籽晶具有如下X射线衍射图谱：其中具有100％强度的最强反射位于5-15°的2θ衍射角处，其中所述2θ衍射角使用Cu K(α1)辐射获得。

11.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中包含在所述籽晶中的Y和/或在步骤(1)中在所述一种或多种YO₂源中提供的Y彼此独立地选自Si、Sn、Ti、Zr、Ge及其两种或更多种的混合物。

12.根据权利要求1的方法，其中所述一种或多种YO₂源包含一种或多种硅酸盐。

13.根据权利要求12的方法，其中在步骤(1)中所提供的混合物除了所述一种或多种硅酸盐之外，还进一步包含一种或多种二氧化硅。

14.根据权利要求12或13的方法，其中在步骤(1)中所提供的混合物包含水玻璃。

15.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中包含在所述籽晶中的X和/或在步骤(1)中在所述一种或多种X₂O₃源中提供的X彼此独立地选自Al、B、In、Ga及其两种或更多种的混合物。

16.根据权利要求1-4中任一项的方法，其中所述一种或多种X₂O₃源包含一种或多种铝酸盐。