[发明专利]用于多波长DBR激光器的发热元件

权利要求书

1.一种多波长分布式布拉格反射(DBR)半导体激光器，包括定义光传播轴的波导、波长选择性DBR部分、多个DBR发热元件、增益部分、以及激光器衬底，其特征在于：

所述波导的光传播轴在激光二极管的前、后面之间延伸，并且穿过所述激光器的DBR部分以及增益部分；

所述DBR发热元件被放置在所述DBR部分中的波导上方，并且沿所述光传播轴以内光栅间距d连续地间隔开，以在所述DBR部分中定义一个或多个热有源光栅部分并在所述DBR部分中定义一个或多个热无源光栅部分；

所述热有源光栅部分定义随温度变化的布拉格波长，其为所述热有源光栅部分的光栅周期的函数；

所述热无源光栅部分定义随温度变化的布拉格波长，其为所述热无源光栅部分的光栅周期的函数；

所述波导以及波长选择性DBR部分的激光器衬底用于定义所述激光器芯片厚度b；并且

所述内光栅间距d与所述激光器芯片厚度b大约是同样的数量级。

2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述内光栅间距d至少与所述激光器芯片厚度b一样大。

3.如权利要求2所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件沿所述光传播轴以内光栅间隙g分隔开，g小于所述激光器芯片厚度b以及所述内光栅间距d。

4.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件沿所述光传播轴以内光栅间隙g分隔开，g小于所述激光器芯片厚度b以及所述内光栅间距d。

5.如权利要求4所述的半导体激光器，其特征在于，所述内光栅间隙g是所述内光栅间距d的大约70％至大约75％。

6.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述DBR发热元件沿所述光传播轴以内光栅间隙g分隔开；

所述波长选择性DBR部分定义了在大约0.5mm至大约0.52mm之间的DBR长度；

所述内光栅间距d在大约148μm至大约150μm之间；并且

所述内光栅间隙g在大约104μm至大约110μm之间。

7.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件被局限于所述DBR部分。

8.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件包括交叉指型发热元件控制节点，被配置用于在所述DBR发热元件的各个元件中的双向加热电流流动。

9.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件包括发热元件控制节点，被配置用于在所述DBR发热元件的各个元件中的单向加热电流流动。

10.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件包括发热元件控制节点，被配置成为多个独立发热元件电路。

11.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件被配置成为在一个或多个发热元件电路中被并联连接的多个独立发热元件。

12.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述DBR发热元件被配置成为在一个或多个发热元件电路中被串联连接的多个独立发热元件。

13.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于：

所述DBR发热元件被配置成为多个独立发热元件组；并且

每个独立发热元件组中的各个发热元件在发热元件电路中被串联连接以定义多个独立发热元件电路。

14.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述热有源光栅部分以及所述热无源光栅部分被埋在所述DBR发热元件之下的激光器的上层中。

15.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述热有源及热无源光栅部分的各自的光栅周期大约相等。

16.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述热有源及热无源光栅部分的各自的光栅周期实质上不同。

17.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述热有源及热无源光栅部分的各自的光栅周期相对于彼此是同相的。