[发明专利]存储控制装置、存储装置、信息处理系统及其处理方法在审

专利信息
申请号: 201280065962.4 申请日: 2012-12-20
公开(公告)号: CN104040634A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 足立直大;筒井敬一;中西健一;大久保英明;山本真纪子;藤波靖 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C11/15
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 郭定辉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 存储 控制 装置 信息处理 系统 及其 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种存储控制装置,包括:

第一读取处理单元,构成为在存储单元中基于第一阈值读取具有第一值或第二值中的任何一个值的数据,所述数据被读取为第一读取数据;

第一写入处理单元,构成为在写入数据为所述第一值且所述第一读取数据为第二值时,重写所述存储单元到所述第一值;

第二读取处理单元,构成为在所述存储单元中基于与所述第一阈值不同的第二阈值读取第二读取数据;以及

第二写入处理单元,构成为在所述写入数据为所述第二值且所述第二读取数据为所述第一值时,重写所述存储单元到所述第二值。

2.如权利要求1所述的存储控制装置,其中:

所述存储单元为可变阻抗元件,

所述第一阈值被设置为与标准阈值相比的较高阻抗状态侧,以及

所述第二阈值被设置为与所述标准阈值相比的较低阻抗状态侧。

3.如权利要求2所述的存储控制装置,其中:

所述第一值为逻辑值“0”,以及

所述第二值为逻辑值“1”。

4.如权利要求1所述的存储控制装置,其中:

所述存储单元为可变阻抗元件,

所述第一阈值被设置为与标准阈值相比的较低阻抗状态侧,以及

所述第二阈值被设置为与所述标准阈值相比的较高阻抗状态侧。

5.如权利要求4所述的存储控制装置,其中:

所述第一值为逻辑值“1”,以及

所述第二值为逻辑值“0”。

6.一种存储控制装置,包括:

操作模式设置单元,构成为将第一模式或第二模式中的任何一种设置为操作模式;

第一读取处理单元,构成为在所述第一模式被设置的情况下,在存储单元中基于第一阈值读取具有第一值或第二值中的任何一个值的数据,所述数据被读取为第一读取数据;

第一写入处理单元,构成为在所述第一模式被设置的情况下,在写入数据为所述第一值且所述第一读取数据为所述第二值时,重写所述存储单元到所述第一值;

第二读取处理单元,构成为在所述第一模式被设置的情况下,在所述存储单元中基于与所述第一阈值不同的第二阈值读取第二读取数据;

第二写入处理单元,构成为在所述第一模式被设置的情况下,在所述写入数据为所述第二值且所述第二读取数据为所述第一值时,重写所述存储单元到所述第二值;

第三读取处理单元,构成为在所述第二模式被设置的情况下,在所述存储单元中基于标准阈值读取第三读取数据;以及

第三写入处理单元,构成为在所述第二模式被设置的情况下,在所述写入数据为所述第一值且所述第三读取数据为所述第二值时,重写所述存储单元到所述第一值,而在所述写入数据为所述第二值且所述第三读取数据为所述第一值时,重写所述存储单元到所述第二值。

7.如权利要求6所述的存储控制装置,其中:

如果在读取处理时检测到错误并对所述检测到的错误执行纠错,则所述第一模式被设置为所述操作模式,用于所述纠错的地址被设置为所述写入地址,并且纠错后的数据作为所述写入数据被重写。

8.一种存储装置,包括:

存储器阵列,构成为包括存储单元;

第一读取处理单元,构成为在存储单元中基于第一阈值读取具有第一值或第二值中的任何一个值的数据,所述数据被读取为第一读取数据;

第一写入处理单元,构成为在写入数据为所述第一值且所述第一读取数据为所述第二值时,重写所述存储单元到所述第一值;

第二读取处理单元,构成为在所述存储单元中基于与所述第一阈值不同的第二阈值读取第二读取数据;以及

第二写入处理单元,构成为在所述写入数据为所述第二值且所述第二读取数据为所述第一值时,重写所述存储单元到所述第二值。

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