[发明专利]光学元件、光学薄膜形成装置及光学薄膜形成方法

权利要求书

1.一种光学元件，其中，

该光学元件具备形成为曲面状的曲面状表面、和形成于所述曲面状表面上的光学薄膜，

所述曲面状表面具有包含所述曲面状表面的中心的第1部位、和与所述第1部位分离的第2部位，

所述第1部位上的光学薄膜的光学膜厚与所述第2部位上的光学薄膜的光学膜厚实质相同。

2.如权利要求1所述的光学元件，其中，

在所述光学薄膜的光谱反射率的规定的反射率或所述光学薄膜的光谱透过率的规定的透过率下，所述第1部位上的最短波长侧的波长和所述第2部位上的最短波长侧的波长的第1波长差为50nm以下，

或者，在所述光学薄膜的光谱反射率的规定的反射率或所述光学薄膜的光谱透过率的规定的透过率下，所述第1部位上的最长波长侧的波长和所述第2部位上的最长波长侧的波长的第2波长差为100nm以下。

3.如权利要求2所述的光学元件，其中，

所述光学薄膜为防反射膜，

在紫外区域到近红外区域的光谱反射特性中满足光谱反射率1.0％的情况下，

所述第1波长差为30nm以下，或者，

所述第2波长差为60nm以下。

4.如权利要求2或3所述的光学元件，其中，

所述第2部位存在有2个以上，

2个以上的所述第2部位分别配置在所述曲面状表面的径方向上，

对于每个所述2个以上的第2部位，所述第2波长差为60nm以下。

5.如权利要求2～4任一项所述的光学元件，其中，

所述第2部位存在有2个以上，

2个以上的所述第2部位分别配置在所述曲面状表面的圆周方向上，

对于每个所述2个以上的第2部位，所述第2波长差为60nm以下。

6.如权利要求1～5任一项所述的光学元件，其中，

所述光学薄膜为单层膜，

所述单层膜为在所述光学元件的表面上由氧化硅所形成的层。

7.如权利要求1～5任一项所述的光学元件，其中，所述光学薄膜为多层膜。

8.如权利要求7所述的光学元件，其中，

所述光学薄膜为在所述光学元件的表面上将由氧化硅形成的层和由氧化铌形成的层交替地层积而得到的多层膜。

9.一种光学薄膜形成装置，其是具有处理室的光学薄膜形成装置，并且在所述处理室中将光学薄膜形成于具有曲面状表面的被成膜材上，其中，

该光学薄膜形成装置具备：

排气部，其用于将所述处理室内的空气排出；和

气体供给部，其用于向保持为真空状态的所述处理室内供给活性气体以及惰性气体；和

配置部，其设置在所述处理室内、并且用于配置所述被成膜材；和

靶材，其在所述处理室内与所述配置部相向地配置；和

电源，其用于向所述靶材施加电压以使所述靶材的颗粒射出；和

遮蔽部，其设置在所述处理室内、并且用于将特定空间包围，该特定空间为所述处理室内的空间的一部分、并且为所述靶材和所述配置部之间的空间。

10.如权利要求9所述的光学薄膜形成装置，其中，

所述遮蔽部的最下部的位置与配置在所述配置部的所述被成膜材的最高的位置相同、或所述遮蔽部的最下部的位置低于配置在所述配置部的所述被成膜材的最高的位置。

11.如权利要求9或10所述的光学薄膜形成装置，其中，

所述被成膜材为光学元件，

所述曲面状表面具有凹面形状，

在将所述光学元件配置于所述配置部上的状态下，按照如下方式配置着所述配置部以及所述靶材：将所述曲面状表面的面径除以所述凹面形状中的球截形长度，所得到的值再除以从所述靶材表面起到所述凹面形状的最远的位置为止的距离后的值为0.010～10的范围。