[发明专利]衬底处理装置及使用该装置的衬底处理方法无效
| 申请号: | 201280065144.4 | 申请日: | 2012-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN104160480A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
| 发明(设计)人: | 吉田秀成;国井泰夫;西谷英辅;平野光浩;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/22;H01L21/324;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;李文屿 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 装置 使用 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,其特征在于,包括:
反应管,其形成为筒状,且在内部对多个衬底进行成膜处理;
气体供给管,其向所述反应管的内部导入用于所述成膜处理的处理气体;
排气管,其将所述反应管内部的环境气体排出;
加热部,其加热所述反应管;
风扇,其使所述反应管内部的环境气体沿着所述衬底的表面强制对流;和
整流板,其沿着由所述强制对流产生的所述衬底的表面上的所述处理气体的流动方向延伸,且将所述多个衬底中的配置在最外部位置的所述衬底的表面覆盖,
以使在所述多个衬底的外侧,朝向所述风扇流动的所述处理气体沿着所述反应管的内周面流动的方式进行控制。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
由所述强制对流形成的所述处理气体的流动方向沿着所述衬底的短边方向。
3.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
所述整流板为圆筒形。
4.一种衬底处理装置,其特征在于,包括:
反应管,其形成为筒状,且在内部对多个衬底进行成膜处理;
气体供给管,其向所述反应管的内部导入用于所述成膜处理的处理气体;
排气管,其将所述反应管内部的环境气体排出;
加热部,其加热所述反应管;和
风扇,其使所述反应管内部的环境气体沿着所述衬底的表面强制对流,
在所述反应管的内周面形成有多个凹凸。
5.一种使用衬底处理装置的衬底处理方法,其特征在于,所述衬底处理装置具有在内部设有风扇的筒状的反应管,所述衬底处理方法包括:
(a)将多个衬底隔开间隔地配置在所述反应管内部的工序,
(b)在将所述反应管加热了的状态下向所述反应管的内部导入处理气体,并通过所述风扇使所述反应管的内部的环境气体沿着所述衬底的表面强制对流而在所述多个衬底进行成膜处理的工序,
在所述(b)工序中,利用整流板进行控制,以使在所述多个衬底的外侧,朝向所述风扇流动的所述处理气体沿着所述反应管的内周面流动,所述整流板沿着由所述强制对流产生的所述衬底的表面上的所述处理气体的流动方向延伸,且将所述多个衬底中的配置在最外部位置的所述衬底的表面覆盖。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立国际电气,未经株式会社日立国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280065144.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:蚀刻液组合物的应用以及蚀刻方法
- 下一篇:质谱中校正的质量分析物值
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





