[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280064564.0 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN104011875A 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 韩承宪 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/18
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池,包括:

在支撑基板上的背电极层;

在所述背电极层上的光吸收层;

在所述光吸收层上的前电极层;

连接线,延伸穿过所述光吸收层,并将所述背电极层与所述前电极层电连接;以及

在所述连接线的侧表面上的侧绝缘部。

2.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述侧绝缘部形成在所述光吸收层的侧表面与所述连接线的侧表面之间。

3.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述光吸收层包括凹槽,所述凹槽形成为穿过所述光吸收层并使所述背电极层部分地暴露,并且所述连接线和所述侧绝缘部被间隙填充在所述凹槽中。

4.如权利要求3所述的太阳能电池,其中,所述侧绝缘部与所述连接线的两个侧表面以及通过所述凹槽暴露的所述背电极层的一部分直接接触。

5.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述侧绝缘部包括金属氧化物层、无机氧化物层和聚合物绝缘层。

6.如权利要求1所述的太阳能电池,其中,所述侧绝缘部的宽度为1μm到10μm。

7.一种太阳能电池,包括:

设置在支撑基板上的背电极层,其具有使所述支撑基板部分地暴露的第一凹槽;

第一侧绝缘部,其形成在具有所述第一凹槽的所述背电极层的侧表面上;

设置在所述背电极层上的光吸收层,其具有使所述背电极层部分地暴露的第二凹槽;

被间隙填充在所述第二凹槽中的连接线;

第二侧绝缘部,其被间隙填充在所述第二凹槽中且形成在所述连接线的侧表面上;以及

在所述光吸收层上的前电极层。

8.如权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述第一侧绝缘部包括所述背电极层的被氧化材料。

9.如权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述第二侧绝缘部形成在所述光吸收层的侧表面与所述连接线的侧表面之间。

10.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:

在支撑基板上形成背电极层;

在所述背电极层上形成光吸收层;

形成穿过所述光吸收层的凹槽;

在所述凹槽的侧表面上形成侧绝缘部;以及

在所述光吸收层上形成连接线和前电极层。

11.如权利要求10所述的方法,其中,所述凹槽的形成和所述侧绝缘部的形成是同时进行的。

12.如权利要求10所述的方法,其中,利用切削刀头形成所述凹槽,以及利用通过在所述切削刀头中形成的孔洞注入的绝缘材料来形成所述侧绝缘部。

13.如权利要求10所述的方法,其中,通过将与所述前电极层的材料相同的材料间隙填充在所述凹槽中来形成所述连接线。

14.如权利要求10所述的方法,其中,形成所述背电极层包括:

形成穿过所述背电极层的另一个凹槽;以及

在所述另一个凹槽的侧表面上形成另一个侧绝缘部。

15.如权利要求14所述的方法,其中,与所述光吸收层的材料相同的材料被间隙填充在所述另一个凹槽中。

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