[发明专利]显示设备和用于制造显示设备的方法有效
| 申请号: | 201280064059.6 | 申请日: | 2012-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN104011864B | 公开(公告)日: | 2017-08-15 |
| 发明(设计)人: | 诺温·文马尔姆 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 丁永凡,张春水 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 用于 制造 方法 | ||
1.一种显示设备(1),所述显示设备具有半导体层序列(2)和载体(5),所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20)并且形成多个像素(2a,2b),其中
-所述有源区域(20)设置在第一半导体层(21)和第二半导体层(22)之间;
-所述有源区域划分成多个区段(20a,20b),所述区段分别形成像素,其中所述区段从共同的所述半导体层序列中得出;
-所述半导体层序列(2)具有至少一个凹部(25),所述凹部从所述半导体层序列(2)的朝向所述载体(5)的主面(27)穿过所述有源区域(20)延伸进入到所述第一半导体层(21)中并且设为用于电接触所述第一半导体层(21);
-至少一个所述凹部至少局部地沿着区段的环周伸展;以及
-所述载体(5)具有多个开关(51),所述开关分别设为用于控制至少一个像素(2a,2b)。
2.根据权利要求1所述的显示设备,
其中用于所述半导体层序列的生长衬底(28)被移除并且所述载体机械地稳固所述半导体层序列。
3.根据权利要求1所述的显示设备,
其中在所述半导体层序列和所述载体之间设置有第一连接层(31)和第二连接层(32),所述第一连接层在至少一个所述凹部中与所述第一半导体层导电地连接,所述第二连接层局部地与所述第二半导体层导电地连接。
4.根据权利要求3所述的显示设备,
其中所述第一连接层和所述第二连接层在所述显示设备的俯视图中重叠。
5.根据权利要求3所述的显示设备,
其中所述第一连接层为所述像素的所述第一半导体层形成共同的电接触部,并且所述像素的所述第二半导体层借助于所述第二连接层分别与所述开关中的一个导电地连接,或者反之。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的显示设备,
其中一个像素的所述第一半导体层与邻接的像素的所述第二半导体层导电地连接。
7.根据权利要求6所述的显示设备,
其中所述开关在一侧上与所述像素的所述第一半导体层导电地连接并且在另一侧上与所述像素的所述第二半导体层导电地连接。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的显示设备,
其中至少一个区段的侧面(201)具有相对于所述显示设备的辐射出射面(29)平行地或者基本上平行地伸展的突出部(251),在所述突出部中电接触所述第一半导体层。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的显示设备,
其中在所述半导体层序列的背离所述载体的一侧上设置有辐射转换元件(6)。
10.根据权利要求9所述的显示设备,
其中所述辐射转换元件连续地延伸经过多个像素。
11.根据权利要求9所述的显示设备,
其中所述辐射转换元件具有多个区段(6a,6b),至少一个像素分别与所述区段相关联。
12.一种用于制造具有多个像素(2a,2b)的显示设备(1)的方法,所述方法具有下述步骤:
a)提供半导体层序列(2),所述半导体层序列具有设为用于产生辐射的有源区域(20);
b)在所述半导体层序列(2)上为每个像素(2a,2b)构成连接面(35);
c)提供具有多个开关(51)的载体(5);以及
d)将所述半导体层序列(2)相对于所述载体(5)定位成,使得连接面(35)与每个开关(51)相关联;
e)建立所述连接面(35)和所述开关(51)之间的导电连接;以及
f)将用于所述半导体层序列(2)的生长衬底(28)移除;
其中
-所述有源区域划分成多个区段(20a,20b),所述区段分别形成像素,其中所述区段从共同的所述半导体层序列中得出;
-所述半导体层序列(2)具有至少一个凹部(25),所述凹部从所述半导体层序列(2)的朝向所述载体(5)的主面(27)穿过所述有源区域(20)延伸进入到第一半导体层(21)中并且设为用于电接触所述第一半导体层(21);以及
-至少一个所述凹部至少局部地沿着区段的环周伸展。
13.根据权利要求12所述的方法,
其中将步骤f)在步骤e)之后执行。
14.根据权利要求12或13所述的方法,
其中制造根据权利要求1至11中任一项所述的显示设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





