[发明专利]制造单晶硅的方法在审
| 申请号： | 201280063685.3 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104011271A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 加藤英生;久府真一 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06;C30B35/00;C30B15/22 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振东;过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 单晶硅 方法 | ||
【权利要求书】：
1.采用通过Czochralski法在腔室内由同一坩埚中的原料熔体提拉多根单晶硅的多重提拉法制造单晶硅的方法，该方法包括以下步骤：
在所述坩埚中制备所述原料熔体，其中坩埚的直径为18、24或32英寸，及在坩埚的内壁上形成含钡层，所述钡的量在坩埚的直径为18英寸的情况下为1.4×1016个原子·cm-2以上且5.4×1016个原子·cm-2以下，在坩埚的直径为24英寸的情况下为5.4×1015个原子·cm-2以上且2.7×1016个原子·cm-2以下，或者在坩埚的直径为32英寸的情况下为1.4×1015个原子·cm-2以上且5.4×1015个原子·cm-2以下；
由所述原料熔体提拉单晶硅；
在提拉单晶硅之后额外地将多晶材料投入留下的所述原料熔体中，及使多晶材料熔化进入所述原料熔体中，同时继续加热所述原料熔体；及
由具有额外地投入及熔化在其中的所述多晶材料的所述原料熔体提拉下一单晶硅，其中
将所述额外地投入及熔化多晶材料的步骤及所述提拉下一单晶硅的步骤重复一次或多次，及所述提拉单晶硅的步骤及重复一次或多次的所述提拉下一单晶硅的步骤中的至少一个步骤包括省略掉单晶硅的尾部的形成的至少一部分并由所述原料熔体分离出单晶硅的步骤。
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