[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

背电极层；以及，

在所述背电极层上的光吸收层，

其中，所述光吸收层包括未掺杂区和在所述未掺杂区上的掺杂区，

其中，所述掺杂区包括锌。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述掺杂区中的所述锌的重量百分比在0.1％至3％的范围中。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，进一步包括在所述光吸收层上的缓冲层，其中，所述缓冲层包括氧化镁锌(MgZnO)。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，通过化学式(MgxZn1-x)O来表达氧化镁锌(MgZnO)。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，x满足等式0.3≤x≤0.7。

6.根据权利要求2所述的太阳能电池设备，其中，是掺杂区的厚度与所述未掺杂区的厚度的比率小于0.5:1。

7.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基板上形成背电极层；

在所述背电极层上形成初步光吸收层；

在所述初步光吸收层上形成掺杂剂供应层；并且，

扩散所述掺杂剂供应层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述初步光吸收层包括基于Cu-In-Ga-Se的结构。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述掺杂剂供应层包括锌化合物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述掺杂剂供应层包括二甲基锌。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在小于或等于350℃的温度下执行所述掺杂剂供应层的所述扩散。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，执行所述掺杂剂供应层的所述扩散的时间小于或等于600秒。

13.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在形成所述掺杂剂供应层后形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括氧化镁锌。

14.根据权利要求7所述的方法，其中，所述掺杂剂供应层的所述扩散包括向所述初步光吸收层内扩散所述掺杂剂供应。

15.根据权利要求7所述的方法，其中，所述掺杂剂供应层的所述扩散包括形成包括掺杂区的光吸收层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述掺杂区包括锌。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述掺杂区中的所述锌的量的重量百分比在0.1％至3％的范围中。