[发明专利]用于制造针对氢氟酸蚀刻的保护层的方法、设置有该保护层的半导体器件及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造用于针对用氢氟酸的蚀刻保护支撑层(22)的保护层(25；125；225)的方法，所述支撑层(22)由可以被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，所述方法包括下列步骤：

－通过原子层沉积在所述支撑层(22)上形成氧化铝的第一层；

－对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间层(25a；125a；225a)；

－通过原子层沉积在所述第一中间层之上形成氧化铝的第二层；以及

－对所述氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间层(25b；125b；225b)，

所述第一中间层和所述第二中间层形成所述保护层(25；125；225)，

其中所述第二中间层(25b；125b；225b)被形成为与所述第一中间层(25a；125a；225a)接触；

其中所述执行所述氧化铝的第一层和所述氧化铝的第二层的热结晶工艺的步骤各包括：

－在800和1100℃之间的温度下执行快速热工艺达在10秒和2分钟之间的时段；或者

－在800和1100℃之间的温度下在炉中加热达在10分钟和90分钟之间的时段。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述氧化铝的第一层的步骤和形成所述氧化铝的第二层的步骤在反应室中执行，并且每个步骤包括下列各项：

a)－将所述反应室内部的环境加热至在150℃和400℃之间的温度；

b)－向所述反应室中引入H₂O蒸汽；

c)－向所述反应室中引入三甲基铝；

d)－重复步骤b)和步骤c)，直至生长出具有在10nm和60nm之间的厚度的层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：在步骤b)和步骤c)之后，向所述反应室中引入氮的步骤e)。

4.一种用于制作半导体器件(101；150；160；170；180)的方法，包括下列步骤：

－提供具有彼此相对的第一表面和第二表面(21a，21b)的衬底(21)；

－在所述衬底(21)的所述第一表面(21a)之上形成第一材料的支撑层(22)，所述第一材料能够被氢氟酸蚀刻或破坏；

－在所述支撑层(22)之上根据权利要求1所述的方法形成所述保护层(25；125；225)；

－在所述保护层(25；125；225)之上形成第二材料的牺牲层(36)，所述第二材料能够被氢氟酸蚀刻；

－在所述牺牲层(36)上方形成至少一个结构区域(29，30；40；11，12；211，212)，并且所述至少一个结构区域(29，30；40；11，12；211，212)与所述牺牲层(36)接触；

－使用氢氟酸或包括氢氟酸的混合物蚀刻所述牺牲层(36)，由此选择性地去除所述牺牲层(36)并且使得所述结构区域(29，30；40；11，12；211，212)至少部分地自立于所述保护层的上方。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一材料和所述第二材料选自包括下列各项的组：氧化硅、氮化硅、氮氧化物和掺杂氧化物。

6.根据权利要求4或5所述的方法，还包括形成至少部分地与所述保护层(25；225)重叠的至少一个电互连区域(34；234a；234b)的步骤，

并且其中所述形成所述结构区域(30；211，212)的步骤包括在所述电互连区域(23；234a；234b)的不被所述保护层(25；225)覆盖的表面部分处形成与所述电互连区域(23；234a；234b)电接触的所述结构区域。

7.根据权利要求4或5所述的方法，还包括在所述衬底(21)的所述第一表面(21a)之上形成至少一个电互连区域(34a；34b)的步骤，

并且其中所述形成所述保护层(25)的步骤包括在所述电互连区域(34a；34b)之上形成所述保护层(25)，从而完全覆盖所述电互连区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述结构区域(11，12)包括形成所述结构区域(11，12)的一部分，所述结构区域(11，12)的所述部分延伸穿过所述牺牲层(36)和所述保护层(25)直至其到达所述电互连区域(34a；34b)并且与所述电互连区域(34a；34b)进行电接触。